IRFR224 ακουστικό mosfet δύναμης, επιφάνεια τοποθετεί smd mosfet δύναμης τη υψηλή δύναμη
multi emitter transistor
,silicon power transistors
ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ
BD135 | 5000 | PH | 12+ | -126 |
BT151-800R | 5000 | 16+ | -220 | |
BT152-800R | 5000 | 12+ | -220 | |
BTS410E2 | 5000 | 16+ | -263220 | |
BYM11-800 | 5000 | VISHAY | 16+ | -213AB |
CA3140 | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP8 |
DS2432P | 5000 | MAXIM | 16+ | SOJ6 |
Erj-3EKF3000V | 5000 | Panasonic | 16+ | SMD |
Erj-3EKF8062V | 5000 | panasonic | 14+ | SMD |
Hcpl-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | DIP/SOP |
HEF4046BP | 5000 | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ | |
HIN202ECBNZ | 5000 | INTERSIL | 15+ | SOP16 |
ICL7660CBAZ | 5000 | INTERSIL | 16+ | Sop-8 |
IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
IR2112 | 5000 | IR | 12+ | Εμβύθιση-14 |
IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | -220 |
KBPC3506 | 5000 | SEP | 12+ | KBPC |
KBU808 | 5000 | SEP | 16+ | Kbu-4 |
L9144 | 5000 | ST | 16+ | Sop-20 |
L9700D | 5000 | ST | 16+ | SOP8 |
LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | ΦΕΡΜΟΥΑΡ |
LM2904DR | 5000 | Tj | 14+ | Sop-8 |
LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | -92 |
Lm2940ct-5 | 5000 | NS | 16+ | -220 |
LM311DR | 5000 | Tj | 15+ | Sop-8 |
LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | Μέθυσος-153 |
M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
M95256-WMW6 | 5000 | ST | 16+ | Sop-8 |
MAX1487ESA | 5000 | MAXIM | 16+ | SOP |
MAX489CPD | 5000 | MAXIM | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
Mb3759pf-γ-BND-jn-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | SOP |
MBR20100CT | 5000 | 16+ | -220 | |
MBRB2060CT | 5000 | 14+ | -263 | |
MC34064D-5R2G | 5000 | 16+ | SOP8 | |
MCP810T-485I/TT | 5000 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | SOP |
MOC3021 | 5000 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | SMD6 |
MPSA18 | 5000 | 16+ | -92 |
IRFR224
MOSFET δύναμης ακουστικό mosfet δύναμης smd mosfet δύναμης
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Δυναμική εκτίμηση dV/dt
• Χιονοστιβάδα που εκτιμάται επαναλαμβανόμενη
• Η επιφάνεια τοποθετεί (IRFR224/SiHFR224)
• Ευθύς μόλυβδος (IRFU224/SiHFU224)
• Διαθέσιμος στην ταινία και το εξέλικτρο
• Γρήγορη μετατροπή
• Ευκολία
• Μόλυβδος (PB) - ελεύθερος διαθέσιμος
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
MOSFETs δύναμης τρίτης γενιάς η μορφή Vishay παρέχει στο σχεδιαστή τον καλύτερο συνδυασμό γρήγορης μετατροπής, δυναμωμένου σχεδίου συσκευών, χαμηλών -αντίστασης και οικονομικής αποτελεσματικότητας. Το DPAK σχεδιάζεται για την επιφάνεια που τοποθετεί χρησιμοποιώντας τη φάση ατμού, τις υπέρυθρες ακτίνες, ή τις τεχνικές κυμάτων solderig. Η ευθεία έκδοση μολύβδου (σειρά IRFU/SiHFU) είναι για τις τοποθετώντας εφαρμογές μέσω-τρυπών. Τα επίπεδα διασκεδασμού δύναμης μέχρι 1,5 W είναι δυνατά στη χαρακτηριστική επιφάνεια τοποθετούν
εφαρμογές.

AOZ1021AI Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

AOZ1210AI Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

TNY274GN ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΥΣ αποθέματα
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
AOZ1021AI Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
|
|
![]() |
AOZ1210AI Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
|
|
![]() |
TNY274GN ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΥΣ αποθέματα |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
|