Q6012LH5 mosfet δύναμης Triacs ολοκληρωμένου κυκλώματος ευαίσθητα Mosfet δύναμης πυλών Triacs Alternistor κρυσταλλολυχνιών
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Triacs Alternistor (6 Α σε 40 Α)
Γενική περιγραφή
Το Teccor προσφέρει τα αμφίδρομα alternistors με τις τρέχουσες εκτιμήσεις από 6 Α σε 40 Α και τάσεις από 200 Β σε 1000 Β ως τμήμα της ευρείας γραμμής Teccor thyristors. Το alternistor του Teccor σχεδιάζεται συγκεκριμένα για τις εφαρμογές που μεταστρέφουν τα ιδιαίτερα επαγωγικά φορτία. Ένα ειδικό τσιπ προσφέρει την ίδια απόδοση όπως δύο thyristors (SCRs) σύνδεσαν με καλώδιο τον αντίστροφο παράλληλο (πλάτη με πλάτη), παρέχοντας την καλύτερη συμπεριφορά διακοπών από τυποποιημένο triac. Ένα alternistor μπορεί να προκληθεί από ένα φράξιμο στο κράτος διεξαγωγής για καθεμία πολικότητα της εφαρμοσμένης τάσης εναλλασσόμενου ρεύματος με τους λειτουργούντες τρόπους στα τεταρτημόρια Ι, ΙΙ, και ΙΙΙ.
Αυτή η νέα κατασκευή τσιπ παρέχει δύο ηλεκτρικά χωριστές δομές SCR, που παρέχουν τα ενισχυμένα χαρακτηριστικά dv/dt διατηρώντας τα πλεονεκτήματα μιας single-chip συσκευής.
Όλα τα alternistors γυαλί-έχουν παθητικοποιήσει τις συνδέσεις για να εξασφαλίσουν τη μακροπρόθεσμες αξιοπιστία και τη σταθερότητα παραμέτρου. Οι γυαλί-παθητικοποιημένες συνδέσεις του Teccor προσφέρουν ένα αξιόπιστο εμπόδιο ενάντια στη μόλυνση συνδέσεων.
Η συσκευασία -218X του Teccor σχεδιάζεται για τη βαριά, σταθερή powerhandling ικανότητα. Χαρακτηρίζει τα μεγάλα τερματικά οπών για την ευκολία το βαρύ hook-up μετρητών καλώδιο. Όλες οι απομονωμένες συσκευασίες έχουν μια τυποποιημένη εκτίμηση τάσης απομόνωσης 2500 Β RMS.
Οι παραλλαγές των συσκευών που καλύπτονται σε αυτό το φύλλο στοιχείων είναι διαθέσιμες για τις εφαρμογές σχεδίου συνήθειας. Συμβουλευθείτε το εργοστάσιο για περισσότερες πληροφορίες.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Υψηλή ικανότητα ρευμάτων κύματος
• Γυαλί-παθητικοποιημένες συνδέσεις
• Απομόνωση εναλλασσόμενου ρεύματος 2500 Β για τις συσκευασίες Λ, J, και Κ
• Υψηλό dv/dt
• Υψηλό στατικό dv/dt
Όροι δοκιμής
di/dt — Μέγιστη ποσοστό--αλλαγή του -κρατικού ρεύματος
dv/dt — Κρίσιμη ποσοστό--άνοδος της από-κρατικής τάσης στην εκτιμημένη πύλη VDRM ανοικτή
dv/dt (γ) — Η κρίσιμη ποσοστό--άνοδος της τάσης μετατροπής σε εκτιμημένες VDRM και την ΤΠ (RMS) που di/dt = 0,54 εκτίμησε την ΤΠ (RMS) /ms η πύλη
Ι 2 τ — Μη επαναληπτικό) -κρατικό ρεύμα κύματος RMS (για την περίοδο κας 8,3 για το λιώσιμο
IDRM — Μέγιστη από-κρατική τρέχουσα πύλη ανοικτή VDRM = μέγιστη εκτιμημένη αξία
IGT — Ρεύμα ώθησης ΣΥΝΕΧΩΝ πυλών στα συγκεκριμένα λειτουργούντα τεταρτημόρια VD = συνεχές ρεύμα 12 Β
IGTM — Μέγιστο ρεύμα ώθησης πυλών
IH — Κράτημα τρέχων (συνεχές ρεύμα) πύλη ανοικτή
ΑΥΤΟ (RMS) — Γωνία -κρατικής τρέχουσα διεξαγωγής RMS 360°
ITSM — Μέγιστο κύμα ένας-κύκλων
PG (AV) — Μέσος διασκεδασμός δύναμης πυλών
PGM — Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης πυλών IGT ≦ IGTM
tgt — Ελεγχόμενος πύλη διεγερτικός χρόνος IGT = 300 μΑ με 0,1 χρόνο ανόδου µs
VDRM — Επαναλαμβανόμενη μέγιστη τάση φραξίματος
VGT — Τάση ώθησης ΣΥΝΕΧΩΝ πυλών VD = συνεχές ρεύμα 12 Β
VTM — Μέγιστη -κρατική τάση στο μέγιστο εκτιμημένο ρεύμα RMS
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC