Mosfet δύναμης IRLR2905TRPBF -252 ηλεκτρονική ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Mosfet δύναμης IRLR2905TRPBF -252 ηλεκτρονική ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD που προστατεύεται, +3V σε +5.5V, 1Microamp, 250kbps, rs-232 συσκευές αποστολής σημάτων/δέκτες
Λογική-ισόπεδο Drive πυλών;
Υπερβολικά χαμηλή -αντίσταση;
Η επιφάνεια τοποθετεί (IRLR2905);
Ευθύς μόλυβδος (IRLU2905);
Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία
Γρήγορη μετατροπή; Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται
Αμόλυβδος
Περιγραφή
Η πέμπτη γενεά HEXFETs από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτευχθεί η χαμηλότερη πιθανή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών. Το δ-PAK σχεδιάζεται για την επιφάνεια που τοποθετεί χρησιμοποιώντας τη φάση ατμού, τις υπέρυθρες ακτίνες, ή τις τεχνικές συγκόλλησης κυμάτων. Η ευθεία έκδοση μολύβδου (σειρά IRFU) είναι για τις τοποθετώντας εφαρμογές μέσω-τρυπών. Τα επίπεδα διασκεδασμού δύναμης μέχρι που 1,5 Watt είναι δυνατά στη χαρακτηριστική επιφάνεια τοποθετούν τις εφαρμογές.
;;;;;;;;;;;;;;;
;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;;;;;;;;; Απόλυτη εκτίμηση του Maxim
TC = συνεχές ρεύμα αγωγών 25°C, VGS @ 10V 42 ταυτότητα @ TC = 100°C
Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V 30 Α
Παλόμενο IDM ρεύμα 160 PD αγωγών @TC = 25°C
Διασκεδασμός 110 γραμμικός Derating παράγοντας 0,71 W/°C δύναμης W
Τάση ± 16 Β πύλη--πηγής VGS
Ενιαία ενέργεια χιονοστιβάδων σφυγμού EAS; 210 MJ
Ρεύμα 25 χιονοστιβάδων IAR ένα ΑΥΤΊ επαναλαμβανόμενο
Ενέργεια 11 μέγιστη αποκατάσταση dv/dt χιονοστιβάδων διόδων MJ dv/dt; 5.0 V/ns
TJ λειτουργούντα σύνδεση και -55 + σε 175
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης TSTG
Θερμοκρασία συγκόλλησης, για 10 δευτερόλεπτα 300 (1.6mm από την περίπτωση) °C
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | LTC4 | Sot23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | LTD6 | Sot23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | Tj | 87D71RK/85FKF2K | Sop-20 |
| RES 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| RES 49R9 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| RES 6K8 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| RES 0R 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| ΚΑΠ 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-Φ | ΔΙΟΔΟΙ | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | Εμβύθιση-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | Tj | 69P1HQA | Sop-16 |
| RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| ΚΑΠ 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| RES 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| RES 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | Tj | 1606+5 | Εμβύθιση-20 |
| OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | Εμβύθιση-6 |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| RES 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| RES 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| ΚΑΠ 0805 NPO 08055A221JAT2A 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | Tj | 336-25/68MA6EG. | Sop-8 |
| C.I TPS61041DBVR | Tj | PHPI | Sot23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | -41 |
| C.I ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΑΣ MCP3201-CI/P |
ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 1621SOD | Εμβύθιση-8 |
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC