Να στείλετε μήνυμα
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Σπίτι
προϊόντα
κατασκευαστών
Περίπου εμείς
πόροι
Στείλετε το RFQ
μεταφορτώστε
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > MR756 Mosfet δύναμης υψηλής τάσης τοποθετημένοι μόλυβδος διορθωτές κρυσταλλολυχνιών

MR756 Mosfet δύναμης υψηλής τάσης τοποθετημένοι μόλυβδος διορθωτές κρυσταλλολυχνιών

MR756 Mosfet δύναμης υψηλής τάσης τοποθετημένοι μόλυβδος διορθωτές κρυσταλλολυχνιών
MR756 Mosfet δύναμης υψηλής τάσης τοποθετημένοι μόλυβδος διορθωτές κρυσταλλολυχνιών
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Δίοδος 600 Β 6A
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
VRRM:
600 Β
VRSM:
720 Β
VR (RMS):
420 Β
IFSM:
400 (για 1 κύκλο) Α
TJ, Tstg:
65 έως +175 °C
Κυριώτερο σημείο:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Εισαγωγή

Υψηλής τάσης τοποθετημένοι μόλυβδος διορθωτές

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Τρέχουσα ικανότητα συγκρίσιμη με τοποθετημένους τους πλαίσια διορθωτές

• Πολύ υψηλή ικανότητα κύματος

• Μονωμένη περίπτωση

• Οι συσκευασίες Pb−Free είναι μηχανικά χαρακτηριστικά Available*:

• Περίπτωση: Εποξικός, φορμαρισμένος

• Βάρος: 2,5 γραμμάρια (περίπου)

• Τελειώστε: Όλος ο εξωτερικός αντιδιαβρωτικός και τελικός μόλυβδος επιφανειών είναι εύκολα Solderable

• Θερμοκρασία μολύβδου για λόγους συγκόλλησης: 260°C μέγιστο για 10 δευτερόλεπτα

• Πολικότητα: Ζώνη πολικότητας καθόδων

MR7 = κώδικας συσκευών

ΧΧ = 50, 51, 52, 54, 56 ή 60

= Συσκευασία Pb−Free

(Σημείωση: Το μικρότατο στίγμα μπορεί να είναι σε καθεμία θέση)

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

Δείτε τις λεπτομερείς πληροφορίες διαταγής και ναυτιλίας στο τμήμα διαστάσεων συσκευασίας σελίδας 6 αυτού του φύλλου στοιχείων.

Για μια τετραγωνική εισαγωγή κυμάτων του εύρους VM, ο παράγοντας αποδοτικότητας γίνεται:

(Κύκλωμα κυμάτων Α το πλήρες έχει δύο φορές αυτές τις αποδοτικότητες)

Δεδομένου ότι η συχνότητα του σήματος εισαγωγής αυξάνεται, ο αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης της διόδου (σχήμα 10) γίνεται σημαντικός, με συνέπεια ένα αυξανόμενο τμήμα τάσης εναλλασσόμενου ρεύματος πέρα από RL που είναι αντίθετο στην πολικότητα στο μπροστινό ρεύμα, με αυτόν τον τρόπο μειώνοντας την αξία του παράγοντα σ αποδοτικότητας, όπως φαίνεται στο σχήμα 9.

Πρέπει να υπογραμμιστεί ότι το σχήμα 9 παρουσιάζει αποδοτικότητα κυματοειδούς μόνο δεν παρέχει ένα μέτρο των απωλειών διόδων. Το στοιχείο λήφθηκε με τη μέτρηση του τμήματος εναλλασσόμενου ρεύματος Vo με ένα αληθινό βολτόμετρο εναλλασσόμενου ρεύματος RMS και του ΣΥΝΕΧΟΎΣ τμήματος με ένα ΣΥΝΕΧΈΣ βολτόμετρο. Το στοιχείο χρησιμοποιήθηκε στην εξίσωση 1 για να λάβει τα σημεία για το σχήμα 9.

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20
Επικοινωνήστε μαζί μας
Διεύθυνση: Room 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο: sales@cmhk-ic.com
Τηλέφωνο: 86-755-88367702
προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Προγραμματίσημο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος υπολογιστών

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών οδηγήσεων

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Μονάδα μικροελεγκτή MCU

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης

IGBT Power Module

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
Περίπου εμείς
Περίπου εμείς Πιστοποιητικό του ISO Ελεγχος ποιότητας Πολιτική μυστικότητας Κέντρο βοήθειας
Πολιτική μυστικότητας | Καλή ποιότητα της Κίνας Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης Προμηθευτής. Πνευματικά δικαιώματα © 2023-2024 icmemorychip.com . Διατηρούνται όλα τα πνευματικά δικαιώματα.