Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > NDS356AP P-Channel κρυσταλλολυχνιών δύναμης κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων τρόπου αυξήσεων επιπέδων λογικής

NDS356AP P-Channel κρυσταλλολυχνιών δύναμης κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων τρόπου αυξήσεων επιπέδων λογικής

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
P-Channel 30 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 1.1A (TA) 500mW (TA)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Τάση αγωγός-πηγής:
-30 Β
Τάση πύλη-πηγής - συνεχής:
±20 Β
Μέγιστο ρεύμα αγωγών - συνεχές (:
±1.1 Α
Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης:
0,5 W
Σειρά θερμοκρασίας λειτουργίας και αποθήκευσης:
-55 έως 150 °C
Κυριώτερο σημείο:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Εισαγωγή

NDS356AP P-Channel κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων τρόπου αυξήσεων επιπέδων λογικής


Γενική περιγραφή

SuperSOTTM-3 P-Channel οι κρυσταλλολυχνίες επίδρασης τομέων δύναμης τρόπου αυξήσεων επιπέδων λογικής παράγονται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη, υψηλή πυκνότητα κυττάρων θλφαηρθχηλδ, τεχνολογία DMOS. Αυτή η πολύ διαδικασία υψηλής πυκνότητας προσαρμόζεται ειδικά για να ελαχιστοποιήσει την -κρατική αντίσταση. Αυτές οι συσκευές είναι ιδιαίτερα ταιριαγμένες για τις εφαρμογές χαμηλής τάσης όπως η διαχείριση ισχύος φορητών υπολογιστών, φορητή ηλεκτρονική, και άλλα με μπαταρίες κυκλώματα όπου η γρήγορη υψηλός-δευτερεύουσα μετατροπή, και η χαμηλή ευθύγραμμη απώλεια δύναμης απαιτούνται σε μια πολύ μικρή επιφάνεια περιλήψεων τοποθετούν τη συσκευασία.

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

-1.1 Α, -30 Β, RDS (ΕΠΆΝΩ) = 0,3 W @ VGS=-4.5 Β

RDS (ΕΠΆΝΩ) = 0,2 W @ VGS=-10 V.

►Η περίληψη μέθυσος-23 βιομηχανικά τυποποιημένων επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία

χρησιμοποίηση του ιδιόκτητου σχεδίου superSOTTM-3 για ανώτερο θερμικό

και ηλεκτρικές ικανότητες.

►Σχέδιο κυττάρων υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά - χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ).

►Εξαιρετική -αντίσταση και μέγιστη ΣΥΝΕΧΗΣ τρέχουσα ικανότητα.

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις TA = 25°C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά

Σύμβολο Παράμετρος NDS356AP Μονάδες
VDSS Τάση αγωγός-πηγής -30 Β
VGSS Τάση πύλη-πηγής - συνεχής ±20 Β
Ταυτότητα Μέγιστο ρεύμα αγωγών - συνεχές ±1.1 Α
PD Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης 0,5 W
TJ, TSTG Σειρά θερμοκρασίας λειτουργίας και αποθήκευσης -55 έως 150 °C

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20