Εφαρμογές σκηνικών ενισχυτών οδηγών δύναμης κρυσταλλολυχνιών συμπληρωματικές σε 2SC4793 (Φ, Μ) A1837
multi emitter transistor
,silicon power transistors
TOSHIBA κρυσταλλικός τύπος πυριτίου PNP κρυσταλλολυχνιών
Εφαρμογές ενισχυτών δύναμης
Εφαρμογές σκηνικών ενισχυτών οδηγών
• Υψηλή συχνότητα μετάβασης: FT = 70 MHZ (τύπος.)
• Συμπληρωματικός σε 2SC4793
Σημείωση:
Να χρησιμοποιήσει συνεχώς κάτω από τα βαριά φορτία (π.χ. η εφαρμογή υψηλής θερμοκρασίας/τρέχων/της τάσης και της σημαντικής αλλαγής στη θερμοκρασία, κ.λπ.) μπορεί να προκαλέσει αυτό το προϊόν στη μείωση στην αξιοπιστία σημαντικά ακόμα κι αν οι λειτουργούντες όροι (δηλ. λειτουργούσες θερμοκρασία/ρεύμα/τάση, κ.λπ.) είναι μέσα στις απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις. Παρακαλώ σχεδιάστε την κατάλληλη αξιοπιστία επάνω στην αναθεώρηση του εγχειριδίου αξιοπιστίας ημιαγωγών Toshiba («διαχειριζόμενες έννοια και μέθοδοι προφυλάξεων» /Derating) και των μεμονωμένων στοιχείων αξιοπιστίας (δηλ. έκθεση δοκιμής αξιοπιστίας και κατ' εκτίμηση ποσοστό αποτυχίας, κ.λπ.).
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις (TC = 25°C)
| Χαρακτηριστικά | Σύμβολο | Εκτίμηση | Μονάδα |
| Συλλέκτη-βάσης τάση | VCBO | −230 | Β |
| Τάση συλλέκτης-εκπομπών | VCEO | −230 | Β |
| Emitter-base τάση | VEBO | −5 | Β |
| Ρεύμα συλλεκτών | Ολοκληρωμένο κύκλωμα | −1 | Α |
| Ρεύμα βάσεων | IB | -0.1 | Α |
|
Διασκεδασμός δύναμης συλλεκτών TA = 25°C TC = 25°C |
PC | 2.0 | W |
| 20 | |||
| Θερμοκρασία συνδέσεων | Tj | 150 | °C |
| Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης | Tstg | −55 σε 150 | °C |

