8 μια Mosfet δύναμης διόδων αποκατάστασης HEXFRED Ultrafast μαλακή κρυσταλλολυχνία HFA08TB60
multi emitter transistor
,silicon power transistors
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Ultrafast αποκατάσταση
• Αποκατάσταση Ultrasoft
• Πολύ χαμηλό IRRM
• Πολύ χαμηλό Qrr
• Διευκρινισμένος στους λειτουργούντες όρους
• Σχεδιασμένος και κατάλληλος για το βιομηχανικό επίπεδο
ΟΦΕΛΗ
• Μειωμένο RFI και EMI
• Μειωμένη απώλεια δύναμης στη δίοδο και την κρυσταλλολυχνία μετατροπής
• Λειτουργία υψηλότερης συχνότητας
• Μειωμένη επίπληξη
• Μειωμένη αρίθμηση μερών
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
HFA08TB60 είναι μια ultrafast δίοδος αποκατάστασης κατάστασης προόδου. Υιοθετώντας τον πιό πρόσφατο στην κρυσταλλική κατασκευή και τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας χαρακτηρίζει έναν θαυμάσιο συνδυασμό χαρακτηριστικών που οδηγούν στην απόδοση που είναι unsurpassed από οποιοδήποτε διορθωτή προηγουμένως διαθέσιμο. Με τις βασικές εκτιμήσεις 600 Β και του συνεχούς ρεύματος 8 Α, το HFA08TB60 είναι ιδιαίτερα καλοταιριασμένο για τη χρήση ως δίοδο συντρόφων για IGBTs και MOSFETs. Εκτός από τον ultrafast χρόνο αποκατάστασης, η γραμμή παραγωγής HEXFRED® χαρακτηρίζει εξαιρετικά - χαμηλές τιμές του μέγιστου ρεύματος αποκατάστασης (IRRM) και δεν εκθέτει οποιαδήποτε τάση «αιφνιδιαστικός-από» κατά τη διάρκεια της μερίδας φυματίωσης της αποκατάστασης. Τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα HEXFRED συνδυάζουν να προσφέρουν στους σχεδιαστές έναν διορθωτή με το χαμηλότερο θόρυβο και τις σημαντικά χαμηλότερες απώλειες μετατροπής και στη δίοδο και στην κρυσταλλολυχνία μετατροπής. Αυτά τα πλεονεκτήματα HEXFRED μπορούν να βοηθήσουν να μειώσουν σημαντικά την επίπληξη, τη συστατική αρίθμηση και heatsink τα μεγέθη. Το HEXFRED HFA08TB60 είναι ιδανικά ταιριαγμένο για τις εφαρμογές στις παροχές ηλεκτρικού ρεύματος και τα συστήματα μετατροπής δύναμης (όπως οι αναστροφείς), τις κινήσεις μηχανών, και πολλές άλλες παρόμοιες εφαρμογές όπου η υψηλή ταχύτητα, υψηλή αποδοτικότητα απαιτείται.
| ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ | |
| VR | 600 Β |
| VF σε 8 Α σε 25 °C | 1.7 Β |
| Φ (AV) | 8 Α |
| trr (χαρακτηριστικός) | 18 NS |
| TJ (μέγιστο) | 150 °C |
| Qrr (χαρακτηριστικό) | nC 65 |
| Di (REC) M/dt (χαρακτηριστικό) | 240 A/µs |
Ultrafast μαλακή δίοδος αποκατάστασης, 8 Α

