SS26T3G μνήμη προγράμματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων διόδων διορθωτών
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Η επιφάνεια τοποθετεί το διορθωτή δύναμης Schottky
SCHOTTKY ΔΙΟΡΘΩΤΗΣ ΕΜΠΟΔΙΩΝ 2,0 ΑΜΠΕΡ 60 ΒΟΛΤ
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Συμπαγής συσκευασία με το ιδανικό μολύβδων J−Bend για τον αυτοματοποιημένο χειρισμό
• Ιδιαίτερα σταθερή παθητικοποιημένη οξείδιο σύνδεση
• Guardring για Overvoltage την προστασία
• Χαμηλή μπροστινή πτώση τάσης
• Η συσκευασία Pb−Free είναι διαθέσιμα μηχανικά χαρακτηριστικά:
• Περίπτωση: Φορμαρισμένος εποξικός
• Εποξικός συναντά UL 94, V−O σε 0,125 μέσα
• Βάρος: 95 mg (περίπου)
• Ζώνη πολικότητας καθόδων
• Μόλυβδος και τοποθετώντας θερμοκρασία επιφάνειας για λόγους συγκόλλησης: 260°C μέγιστο για 10 δευτερόλεπτα
• Διαθέσιμη σε 12 χιλ. η ταινία, 2500 μονάδες ανά εξέλικτρο 13 ″, προσθέτει το επίθημα ìT3î στον αριθμό μερών
• Τελειώστε: Όλοι οι εξωτερικοί αντιδιαβρωτικοί και τελικοί μόλυβδοι επιφανειών είναι εύκολα Solderable
• Εκτιμήσεις ESD: Πρότυπο ανθρώπινου σώματος = πρότυπο μηχανών 3B = Γ
• Χαρακτηρισμός: SS26
| ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (1) |
|
Μέγιστη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση που λειτουργεί τη μέγιστη αντίστροφη τάση VRRM VRWM VR 60 Β ΣΥΝΕΧΟΥΣ φραξίματος τάσης
Ο μέσος όρος αποκατήστησε προς τα εμπρός τρέχον (σε εκτιμημένων VR, TL = 95°C) IO 2,0 Α
Μέγιστο ρεύμα κύματος Non−Repetitive (κύμα που εφαρμόζεται στο εκτιμημένο ημίκυμα όρων φορτίων, την ενιαία φάση, 60 Hz) IFSM 40 Α
Αποθήκευση/λειτουργούσα θερμοκρασία Tstg, TC −55 περίπτωσης σε +150 °C
Λειτουργούσα θερμοκρασία TJ −55 συνδέσεων σε +150 °C
Ποσοστό τάσης αλλαγής (εκτιμημένων VR, TJ = 25°C) dv/dt 10.000 Β; s
|
ΜΕΡΟΣ ΤΟΥ ΑΠΟΘΕΜΑΤΟΣ
| ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | Sop-8 |
| DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | Sot23-3 | |
| C.I L7805CD2T-TR | 2500 | ST | 14+ | D2PAK |
| FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | Sop-8 |
| NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | Sop-8 |
| SN65HVD485EDR | 1500 | Tj | 16+ | Sop-8 |
| SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
| PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 13+ | Tqfp-44 |
| C.I TLC072CDGNR | 5000 | Tj | 05+ | Msop-8 |
| C.I SN74LS374N | 2000 | Tj | 15+ | Εμβύθιση-20 |
| ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ BC817-16LT1G | 300000 | 12+ | Μέθυσος-23 | |
| C.I TL074CN | 1000 | Tj | 12+ | Εμβύθιση-14 |
| OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | Sop-6 |
| TRIAC BT151-500R | 300000 | 16+ | -220 | |
| C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | Sop-14 |
| C.I WS79L05 | 100000 | WS | 16+ | -92 |
| RES RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| ΚΑΠ 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | SAMSUNG | 16+ | SMD1206 |
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC