S2A-E3/52T το ολοκληρωμένο κύκλωμα Electrnic διόδων διορθωτών πελεκά τα τμήματα ολοκληρωμένου κυκλώματος ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
S2A-E3-52T το ολοκληρωμένο κύκλωμα Electrnic διόδων διορθωτών πελεκά τα τμήματα ολοκληρωμένου κυκλώματος ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | Sop-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16255C4 | Sop-14 |
ACOPLADOR. PC817A | ΑΙΧΜΗΡΟΣ | το 2016.08.10/H33 | Εμβύθιση-4 |
ΔΙΑ 2SS52M | Honeywell | 2ssm/523-LF | -92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | Sop-24 | |
C.I TP3057WM | Tj | XM33AF | Sop-16 |
C.I CD14538BE | Tj | 33ADS8K | Εμβύθιση-16 |
C.I CL2N8-Γ | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | CL2C | Μέθυσος-89 |
C.I SN75179BP | Tj | 57C50DM | Εμβύθιση-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | Sop-24 |
ΚΑΠ 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
ΚΑΠ ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | ΤΗΓΑΝΙ | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 1636M6G | Sop-8 |
ΚΑΠ ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | Tj | 11/A75240 | Msop-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
ΚΑΠ CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-Τ | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
ΚΑΠ CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
ΥΠΌΘΕΣΗ 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | -3P |
ΚΑΠ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Περιγραφή
Το r1lp0408c-γ είναι ένα 4-Mbit που το στατικό RAM οργάνωσε 512 το kword × οκτάμπιτο. R1lp0408c-γ η σειρά έχει πραγματοποιήσει την υψηλότερη πυκνότητα, τη μεγαλύτερη απόδοση και τη χαμηλής ισχύος κατανάλωση με την υιοθέτηση της τεχνολογικής διαδικασίας CMOS (κύτταρο μνήμης 6-κρυσταλλολυχνιών). Η σειρά r1lp0408c-γ προσφέρει το χαμηλής ισχύος διασκεδασμό εφεδρικής δύναμης επομένως, είναι κατάλληλο για τα εφεδρικά συστήματα μπαταριών. Έχει συσκευάσει 32 στην καρφίτσα SOP, 32 καρφίτσα TSOP ΙΙ.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Ενιαίος ανεφοδιασμός 5 Β: 5 Β ± 10%
• Χρόνος πρόσβασης: 55/70 NS (ανώτατο)
• Διασκεδασμός δύναμης: ενεργός: εφεδρεία 10 mW/MHz (τύπος): 4 µW (τύπος)
• Απολύτως στατική μνήμη. κανένα ρολόι ή στροβοσκόπιο συγχρονισμού που απαιτείται
• Τα κύκλος ίσης πρόσβασης και ζωών
• Κοινές εισαγωγή στοιχείων και παραγωγή. τρία κρατική παραγωγή
• Άμεσα συμβατό σύστημα TTL. όλα οι εισαγωγές και τα αποτελέσματα
• Εφεδρική λειτουργία μπαταριών.
• Λειτουργούσα θερμοκρασία: −20 σε +70°C
Ρύθμιση καρφιτσών

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
