Να στείλετε μήνυμα
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Σπίτι
προϊόντα
κατασκευαστών
Περίπου εμείς
πόροι
Στείλετε το RFQ
μεταφορτώστε
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > Her208g-TP υψηλή ΔΊΟΔΟΣ διορθωτών αποδοτικότητας διόδων διορθωτών ΓΡΉΓΟΡΗ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ

Her208g-TP υψηλή ΔΊΟΔΟΣ διορθωτών αποδοτικότητας διόδων διορθωτών ΓΡΉΓΟΡΗ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ

Her208g-TP υψηλή ΔΊΟΔΟΣ διορθωτών αποδοτικότητας διόδων διορθωτών ΓΡΉΓΟΡΗ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ
Her208g-TP υψηλή ΔΊΟΔΟΣ διορθωτών αποδοτικότητας διόδων διορθωτών ΓΡΉΓΟΡΗ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ
Her208g-TP υψηλή ΔΊΟΔΟΣ διορθωτών αποδοτικότητας διόδων διορθωτών ΓΡΉΓΟΡΗ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Diode 1000 V 2A Through Hole DO-15
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Μέγιστη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση:
1000 Β
Μέγιστη αντίστροφη τάση εργασίας:
1000 Β
Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ φραξίματος:
1000 Β
Αντίστροφη τάση RMS:
700 Β
Αποκατεστημένο μέσος όρος ρεύμα παραγωγής:
2.0 Α
Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα:
5.0 µA
Λειτουργούσα θερμοκρασία:
-65 έως +125 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
-65 έως +150 °C
Κυριώτερο σημείο:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Εισαγωγή

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
INN8186 14106 INNO 15+ Sop-8
IP4220CZ6 95000 14+ Sot23-6
IPD60R750E6 6123 16+ -252
IPS022GTR 6326 IR 04+ Sop-8
IPS7071GPBF 6823 IR 12+ Sop-8
IR2103STRPBF 4102 IR 15+ Sop-8
IR2110PBF 12615 IR 16+ Εμβύθιση-14
IR2110STRPBF 11621 IR 15+ Sop-16
IR2111PBF 2178 IR 07+ Εμβύθιση-8
IR2112PBF 8355 IR 08+ Εμβύθιση-14
IR2113PBF 4677 IR 15+ Εμβύθιση-14
IR2113STRPBF 12544 IR 15+ Soic-16
IR2118PBF 14177 IR 16+ Εμβύθιση-8
IR2118S 6075 IR 14+ Sop-8
IR2153PBF 6146 IR 16+ Εμβύθιση-8
IR21814STRPBF 5286 IR 16+ Sop-14
IR2233J 2249 IR 15+ PLCC32
IR3566BMTRPBF 3860 IR 16+ QFN48
IR3570BMTRPBF 3411 IR 14+ QFN
IR3585BMSY01TRPBF 3549 IR 13+ QFN48
IR4427PBF 14248 IR 13+ Εμβύθιση-8
IR4427STRPBF 6248 IR 14+ Sop-8
IRF1010N 3464 IR 14+ -220
IRF1404STRLPBF 4764 IR 16+ -263
IRF1404ZPBF 9554 IR 16+ -220
IRF2807PBF 6558 IR 15+ -220
IRF2907Z 2320 IR 11+ -220
IRF2907ZPBF 4500 IR 12+ -220
IRF3205PBF 8079 IR 16+ -220
IRF3205ZSTRLPBF 6857 IR 14+ -263

HER201 – HER208

2.0A ULTRAFAST ΔΙΟΔΟΣ

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

  • Διασκορπισμένη σύνδεση
  • Χαμηλή μπροστινή πτώση τάσης
  • Υψηλής τάσης ικανότητα
  • Υψηλή αξιοπιστία
  • Υψηλή ικανότητα ρευμάτων κύματος

Μηχανικά στοιχεία

  • Περίπτωση: -15, φορμαρισμένο πλαστικό
  • Τερματικά: Καλυμμένοι μόλυβδοι Solderable ανά mil-STD-202, μέθοδος 208
  • Πολικότητα: Ζώνη καθόδων
  • Βάρος: 0,40 γραμμάρια (περ.)
  • Τοποθετώντας θέση: Οποιοιδήποτε
  • Χαρακτηρισμός: Αριθμός τύπων
  • Αμόλυβδος: Για RoHS/την αμόλυβδη έκδοση

Μέγιστες εκτιμήσεις και ηλεκτρικά χαρακτηριστικά @TA=25°C εκτός αν ορίζεται διαφορετικά

Ενιαία φάση, ημίκυμα, 60Hz, ανθεκτικό ή επαγωγικό φορτίο.

Για το χωρητικό φορτίο, derate ρεύμα από 20%.

Χαρακτηριστικό Σύμβολο

ΑΥΤΗ

201

ΑΥΤΗ

202

ΑΥΤΗ

203

ΑΥΤΗ

204

ΑΥΤΗ

205

ΑΥΤΗ

206

ΑΥΤΗ

207

ΑΥΤΗ

208

 Μονάδα

Μέγιστη επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση

Μέγιστη αντίστροφη τάση εργασίας

Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ φραξίματος

VRRM

VRWM

VR

 50 100 200 300 400 600 800 1000 Β
Αντίστροφη τάση RMS VR (RMS) 35 70 140 210 280 420 560 700 Β

Αποκατεστημένο μέσος όρος ρεύμα παραγωγής

(Σημείωση 1) @TA = 55°C

 IO 2.0 Α

Μη επαναληπτικό μέγιστο μπροστινό ρεύμα κύματος

8.3ms ενιαίο μισό ημίτονο-κύμα που επιβάλλεται στο εκτιμημένο φορτίο (μέθοδος JEDEC)

 IFSM 60 Α
Μπροστινή τάση @IF = 2.0A VFM 1.0 1.3 1.7 Β

Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα @TA = 25°C

Στην εκτιμημένη τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ φραξίματος @TA = 100°C

 IRM

5.0

100

 µA
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (σημείωση 2) trr 50 75 NS
Χαρακτηριστική ικανότητα συνδέσεων (σημείωση 3) Cj 60 40 pF
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας Tj -65 έως +125 °C
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης TSTG -65 έως +150 °C

Σημείωση:

1. Οι μόλυβδοι διατήρησαν στην περιβαλλοντική θερμοκρασία σε μια απόσταση 9.5mm από την περίπτωση

2. Μετρημένος με ΕΑΝ = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. Δείτε το σχήμα 5.

3. Μετρημένος σε 1,0 MHZ και την εφαρμοσμένη αντίστροφη τάση του ΣΥΝΕΧΟΎΣ ΡΕΎΜΑΤΟΣ 4.0V.

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ ΝΑ ΔΕΣΕΙ ΜΕ ΤΑΙΝΊΑ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑΣ

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20pcs
Επικοινωνήστε μαζί μας
Διεύθυνση: Room 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο: sales@cmhk-ic.com
Τηλέφωνο: 86-755-88367702
προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Προγραμματίσημο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος υπολογιστών

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών οδηγήσεων

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Μονάδα μικροελεγκτή MCU

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης

IGBT Power Module

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
Περίπου εμείς
Περίπου εμείς Πιστοποιητικό του ISO Ελεγχος ποιότητας Πολιτική μυστικότητας Κέντρο βοήθειας
Πολιτική μυστικότητας | Καλή ποιότητα της Κίνας Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης Προμηθευτής. Πνευματικά δικαιώματα © 2023-2024 icmemorychip.com . Διατηρούνται όλα τα πνευματικά δικαιώματα.