IRFZ44NPBF MOSFET δύναμης mosfet δύναμης μετατροπής χαμηλής ισχύος mosfet
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Κατάλογος ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ
| UPC1688G | 3000 | NEC | 16+ | Μέθυσος-143 |
| VIPER32 | 3000 | ST | 16+ | Εμβύθιση-8 |
| VN0300M | 3000 | VISHAY | 16+ | -92 |
| VP0808 | 3000 | VISHAY | 14+ | -92 |
| ZX5T853G | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
| HEF4024BT | 3001 | PHILPS | 16+ | Έτσι-14 |
| L6565N | 3002 | ST | 15+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| MCP1700T-3002E/TT | 3002 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | Μέθυσος-23 |
| MCP1701AT-1802I/CB | 3003 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 15+ | Sot23-3 |
| IRAMX20UP60A | 3004 | IR | 12+ | NA |
| 74LVC1G384GW | 3005 | 16+ | Μέθυσος-353 | |
| TIP102 | 3008 | ST | 12+ | -220 |
| TPS3825-33DBVT | 3008 | Tj | 16+ | Μέθυσος-153 |
| H20R1202 | 3033 | 16+ | -247 | |
| IRF7504TR | 3050 | IR | 16+ | Msop-8 |
| A7800 | 3100 | AVAGO | 16+ | Sop-8 |
| H21A1 | 3100 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | Εμβύθιση-4 |
| IRFB52N15D | 3100 | IR | 14+ | -220 |
| Rtd2660-GR | 3100 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
| SN75C23243DGGR | 3100 | Tj | 16+ | Tssop-48P |
| GT60N321 | 3114 | TOSHIBA | 15+ | - 3PL |
| BTS426L1 | 3120 | 16+ | -263 | |
| CM1213-08 | 3121 | CMD | 15+ | MSOP10 |
| 2N1893 | 3200 | MOT | 12+ | -39 |
| 2SK386 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | -220F |
| 74HC377PW | 3200 | 12+ | TSSOP | |
| ADM706SARZ | 3200 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 16+ | SOP |
| ADP3338-1.8 | 3200 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 16+ | SOT223 |
| BF513 | 3200 | 16+ | Μέθυσος-23 | |
| BS801 | 3200 | HOLTEK | 16+ | Sot23-6 |
| CY7C68013A-128AXI | 3200 | ΚΥΠΑΡΙΣΣΙ | 16+ | LQFP |
| DS2431P | 3200 | MAXIM | 14+ | Tsoc-6 |
| FEP16DTA | 3200 | FSC | 16+ | -220 |
| L78m06cdt-TR | 3200 | ST | 16+ | -252 |
IRFZ44N
MOSFET δύναμης mosfet δύναμης μετατροπής χαμηλής ισχύος mosfet
►Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία
►Υπερβολικά χαμηλή -αντίσταση
►Δυναμική εκτίμηση dv/dt
►175°C λειτουργούσα θερμοκρασία
►Γρήγορη μετατροπή
►Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται
Περιγραφή
Προηγμένα MOSFETs δύναμης HEXFET® από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιούν τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία

