Υπερταχεία διόδου ευθυγραμμιστή τύπου γέφυρας Avalanche SMD, BYG20J-E3/TR
κατασκευαστής:
VISHAY
Περιγραφή:
Η δίοδος 600 επιφάνεια Β 1.5A τοποθετεί -214AC (SMA)
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά συστατικά
Τιμή:
0.1USD
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Τετάρτη:
200 Β σε 600 Β
Χαρακτηριστικά:
Συσκευασία μικρής ακτινοβολίας
Περιγραφή:
Ο κασσίτερος μεταλλινών κάλυψε τους μολύβδους
Θερμοκρασία:
260 °C
Χρήση:
Διορθωτής
Τύπος:
Δίοδος
Κυριώτερο σημείο:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Εισαγωγή
BYG20J-E3-TR Διοδικός υπερταχείος επανορθωτής SMD Avalanche
Ειδικά χαρακτηριστικά
• Πακέτο χαμηλού προφίλ
• Ιδανικό για αυτοματοποιημένη τοποθέτηση
• Παθητικοποιημένη διασταύρωση από γυαλί
• Χαμηλό αντίστροφο ρεύμα
• Χαρακτηριστικά μαλακής ανάκτησης
• Υπερ-γρήγορος χρόνος ανάκτησης
• Ακολουθεί το επίπεδο MSL 1, ανά J-STD-020, LF μέγιστη κορυφή
260 °C
• Αξιολόγηση AEC-Q101
• Συμμόρφωση με την οδηγία RoHS 2002/95/ΕΚ και
σύμφωνα με το WEEE 2002/96/ΕΚ
ΕΜΠΙΔΑΜΑΤΑ ΤΗΣ ΜΕΧΑΝΙΚΗΣ
Κεφάλαιο:
DO-214AC (SMA)
Η σύνθετη μορφή ανταποκρίνεται στον βαθμό εύφλεκτης ικανότητας UL 94 V-0
Βάση P/N-E3 - Συμμόρφωση με το RoHS, εμπορική ποιότητα
Βάση P/NHE3 - Συμμόρφωση με το RoHS, πιστοποίηση AEC-Q101
Τερματικά:
Πλέκτες από ματ κασσίτερο, που μπορούν να συγκολληθούν ανά τεμάχιο
J-STD-002 και JESD 22-B102
Η προθήκη E3 πληροί τις απαιτήσεις της δοκιμής μαυριτών κατηγορίας 1A της JESD 201, η προθήκη HE3
ανταποκρίνεται στη δοκιμή μαυριτών JESD 201 κλάσης 2
Πολικότητα:
Η χρωματική ζώνη υποδηλώνει το τέλος του καθοδίου
|
Πρωταρχικά χαρακτηριστικά
|
|
|
Εγώ...F ((AV)
|
1.5 Α
|
| VΕπενδύσεις | Από 200 V έως 600 V |
| Εγώ...Επενδύσεις | 30 Α |
| Εγώ...R | 10,0 μA |
| VF | 1.4 V |
| tερ | 75 ns |
| ΕR | 20 mJ |
| ΤJμέγιστο | 150 °C |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
IRFP9240 Γενικός σκοπός διορθωτής Διοδίου P με 150W μέσα από τρύπα
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO1400AEFTR Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
VS-60CPQ150PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
VS-36MB160A Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
IRF640PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
IRF620PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
MBRB10100-E3/8W Νέο και αρχικό απόθεμα
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-HFA25PB60PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
TCMT1107 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
1N5245B-ΒΡΥΣΗ ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
IRFP9240 Γενικός σκοπός διορθωτής Διοδίου P με 150W μέσα από τρύπα |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO1400AEFTR Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
VS-36MB160A Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
|
|
|
|
IRF640PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
IRF620PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Νέο και αρχικό απόθεμα |
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
|
|
|
|
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-HFA25PB60PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ |
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
|
|
|
|
TCMT1107 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
|
|
|
|
1N5245B-ΒΡΥΣΗ ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
5 PCS