Τσιπ BAS85,135 ολοκληρωμένου κυκλώματος διόδων ηλεκτρονικής διόδων εμποδίων Schottky
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Τσιπ BAS85 ολοκληρωμένου κυκλώματος διόδων ηλεκτρονικής διόδων εμποδίων Schottky
Δίοδος εμποδίων BAS85 Schottky
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Χαμηλή μπροστινή τάση
• Υψηλή τάση διακοπής
• Δαχτυλίδι φρουράς που προστατεύεται
• Ερμητικά κλεισμένη μικρή συσκευασία SMD.
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Επίπεδη δίοδος εμποδίων Schottky με ένα ενσωματωμένο δαχτυλίδι προστασίας ενάντια στις στατικές απαλλαγές. Αυτή η τοποθετημένη επιφάνεια δίοδος είναι τοποθετημένη σε κάψα σε μια ερμητικώς σφραγισμένη συσκευασία γυαλιού SMD SOD80C με τους κασσίτερος-καλυμμένους δίσκους μετάλλων σε κάθε τέλος. Είναι κατάλληλο για τη «αυτόματη τοποθέτηση» και ως τέτοια μπορεί να αντισταθεί τη συγκόλληση βύθισης.
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
• Υπερβολική μεγάλη μετατροπή
• Στερέωση τάσης
• Κυκλώματα προστασίας
• Εμποδίζοντας δίοδοι.
ΟΡΟΙ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΥ ΣΥΜΒΟΛΩΝ
ΜΟΝΑΔΑ συνεχής αντίστροφη τάση − 30 Β ΕΛΑΧΙΣΤΩΝ ΜΕΓΙΣΤΩΝ VR
ΕΑΝ συνεχές μπροστινό τρέχον − 200 μΑ
ΕΑΝ (AV) μέσο μπροστινό ρεύμα VRWM = 25 Β α = 1,57 δ = 0,5
σημείωση 1 Fig.2 − 200 επαναλαμβανόμενο μέγιστο μπροστινό τρέχον tp ≤ 1 s μΑ IFRM δ ≤ 0,5 − 300 μΑ Ι
Μη επαναληπτικό μέγιστο μπροστινό τρέχον tp FSM = 10 κα − 5 Α
Θερμοκρασία −65 +150 °C αποθήκευσης Tstg
Θερμοκρασία − 125 °C συνδέσεων Tj
Tamb που λειτουργεί την περιβαλλοντική θερμοκρασία −65 +125 °C
| ΣΥΜΒΟΛΟ | ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΟΡΟΙ | MAX | ΜΟΝΑΔΑ |
| VF | Μπροστινή τάση |
ΕΑΝ =0.1mA ΕΑΝ =1mA ΕΑΝ =10mA ΕΑΝ =30mA ΕΑΝ =100mA |
240 320 400 500 800 |
MV MV MV MV MV |
| IR | Vr=25V | 2.3 | UA | |
| Cd | ικανότητα διόδων | f=1 MHZ Vr=1V | 10 | pF |

