MIC4423YM sop-8 προγραμματίσημος ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ ηλεκτρονικής προμηθευτής ολοκληρωμένου κυκλώματος της Κίνας χρυσός

MIC4423YM

Διπλός χαμηλός-δευτερεύων MOSFET 3A-αιχμών οδηγός

Γενική περιγραφή

Η οικογένεια MIC4423/4424/4425 είναι ιδιαίτερα αξιόπιστοι οδηγοί απομονωτές BiCMOS/DMOS/driver/MOSFET. Είναι υψηλότερες τρέχουσες εκδόσεις παραγωγής του MIC4426/4427/4428, οι οποίες είναι βελτιωμένες εκδόσεις του MIC426/427/428. Και οι τρεις οικογένειες είναι καρφίτσα-συμβατές. Οι οδηγοί MIC4423/4424/4425 είναι σε θέση την αξιόπιστη υπηρεσία στην απαίτηση των ηλεκτρικών περιβαλλόντων από τους προκατόχους τους. Δεν θα κλείσουν με το μάνταλο υπό οποιουσδήποτε όρους μέσα στις εκτιμήσεις τους ισχύος και τάσης. Μπορούν να επιζήσουν μέχρι 5V του θορύβου καρφώνοντας, καθεμίας πολικότητας, στην επίγεια καρφίτσα. Μπορούν να δεχτούν, χωρίς είτε τη ζημία είτε λογική που ανατρέπεται, μέχρι μισό amp του αντίστροφου ρεύματος (καθεμία πολικότητα) που αναγκάζεται πίσω στα αποτελέσματά τους. Οι οδηγοί σειράς MIC4423/4424/4425 είναι ευκολότεροι να χρησιμοποιήσουν, πιό εύκαμπτοι σε λειτουργία, και συγχωρώντας από άλλους CMOS ή διπολικούς οδηγούς διαθέσιμο σήμερα. Η κατασκευή BiCMOS/DMOS τους διαλύει την ελάχιστη ισχύ και παρέχει ράγα-torail-περιβάλλει την ταλάντευση τάσης με φράκτη. Πρώτιστα προορισμένοι για MOSFETs κινητήριας δύναμης, οι οδηγοί MIC4423/4424/4425 είναι κατάλληλοι για άλλα φορτία (χωρητικός, ανθεκτικός, ή επαγωγικός) που απαιτούν τα low-impedance, υψηλά μέγιστα ρεύματα, και τους γρήγορους χρόνους διακοπής. Οι βαριά φορτωμένες γραμμές ρολογιών, τα ομοαξονικά καλώδια, ή οι πιεζοηλεκτρικοί μετατροπείς είναι μερικά παραδείγματα. Ο μόνος γνωστός περιορισμός στη φόρτωση είναι ότι η συνολική δύναμη που διαλύεται στον οδηγό πρέπει να κρατηθεί μέσα στα μέγιστα όρια διασκεδασμού δύναμης της συσκευασίας

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Αξιόπιστη, χαμηλής ισχύος κατασκευή bipolar/CMOS/DMOS

• Σύρτης-επάνω προστατευμένος σε >500mA το αντίστροφο ρεύμα

• Η εισαγωγή λογικής αντιστέκεται την ταλάντευση – 5V

• Υψηλό 3A-μέγιστο ρεύμα παραγωγής

• Ευρύ 4.5V στη λειτουργούσα σειρά 18V

• Ικανότητα κινήσεων 1800pF σε 25ns

• Απότομα <40ns typical="" delay="" time="">

• Χρόνοι καθυστέρησης σύμφωνοι με στην αλλαγή τάσης ανεφοδιασμού

• Αντιστοιχημένοι χρόνοι ανόδου και πτώσης

• Ανεξάρτητος εισαγωγής λογικής TTL της τάσης ανεφοδιασμού

• Χαμηλή ισοδύναμη ικανότητα εισαγωγής 6pF

• Χαμηλός ανεφοδιασμός τρέχον 3.5mA με λογική-1 εισαγμένο 350µA λογική-0 που εισάγονται με

• Χαμηλή χαρακτηριστική σύνθετη αντίσταση παραγωγής 3.5Ω

• Ταλάντευση τάσης παραγωγής μέσα σε 25mV του εδάφους ή ΕΝΑΝΤΊΟΝ.

• “426/7/8-, “1426/7/8-, “4426/7/8-συμβατό σύστημα pinout

• Αναστρέφοντας, noninverting, και διαφορικές διαμορφώσεις

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις (σημείωση 1)

Τάση ........................................................... +22V ανεφοδιασμού

Τάση εισαγωγής .................................. ΕΝΑΝΤΙΟΝ + 0.3V GND – 5V

Θερμοκρασία ................................................ 150°C συνδέσεων

Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης ...................... – 65°C σε 150°C

Θερμοκρασία μολύβδου (10 SEC.) ...................................... 300°C

Το ESD Susceptability, σημειώνει 3 ..................................... 1000V

Λειτουργούσες εκτιμήσεις (σημείωση 2)

Τάση ανεφοδιασμού (ΕΝΑΝΤΙΟΝ) ...................................... +4.5V σε +18V

Έκδοση .................................................... 0°C σειράς θερμοκρασίας Γ σε +70°C

Έκδοση Β ................................................ – 40°C σε +85°C

Θερμική ΕΜΒΥΘΙΣΗ θJA ............................................................. 130°C/W αντίστασης συσκευασίας

ΕΜΒΥΘΙΣΗ θJC ............................................................... 42°C/W

Ευρύς-SOIC θJA ................................................. 120°C/W

Ευρύς-SOIC θJC ................................................... 75°C/W

SOIC θJA ........................................................... 120°C/W

SOIC θJC ............................................................ 75°C/W

Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων