74AUP1G157GW, 125 χαμηλής ισχύος 2 εισαγμένο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος πολυδιαυλωτών τσιπ πινάκων κυκλωμάτων
electronic chip board
,electronic components ic
1. Γενική περιγραφή
Το 74AUP1G157 είναι ένα υψηλής απόδοσης, χαμηλής ισχύος, χαμηλής τάσης, συσκευή Si-πυλών CMOS, ανώτερη από τις πιό προηγμένες συμβατές TTL οικογένειες CMOS. Η δράση ώθησης Schmitt εισάγει καθόλου καθιστά το κύκλωμα ανεκτικό στην πιό αργή εισαγωγή να αυξηθεί και να πέσει χρόνοι πέρα από το ολόκληρο VCC κυμαίνεται από 0,8 Β ως 3,6 V.
Αυτή η συσκευή εξασφαλίζει μια πολύ μικρή στατική και δυναμική κατανάλωση ισχύος πέρα από την ολόκληρη VCC σειρά από 0,8 Β σε 3,6 V. Αυτή η συσκευή διευκρινίζεται πλήρως για τις μερικές δύναμη-κάτω εφαρμογές χρησιμοποιώντας IOFF.
Τα στοιχεία κυκλώματος IOFF θέτουν εκτός λειτουργίας την παραγωγή, που αποτρέπει το καταστρεπτικό backflow ρεύμα μέσω της συσκευής όταν τροφοδοτείται κάτω.
Το 74AUP1G157 είναι ένας ενιαίος 2 εισαγμένος πολυδιαυλωτής που τα επίλεκτα στοιχεία από δύο εισαγωγές στοιχείων (I0 και I1) υπό έλεγχο ενός κοινού στοιχείου επιλέγουν την εισαγωγή (σ).
Η κατάσταση της κοινής επίλεκτης εισαγωγής στοιχείων καθορίζει τον ιδιαίτερο κατάλογο από τον οποίο το στοιχείο προέρχεται. Η παραγωγή (ω) παρουσιάζει τα επιλεγμένα στοιχεία στην αληθινή (μη-) μορφή.
2. Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
■Ευρεία σειρά τάσης ανεφοδιασμού από 0,8 Β σε 3,6 Β
■Υψηλή ασυλία θορύβου
■Συμμορφώνεται με τα πρότυπα JEDEC:
◆JESD8-12 (0,8 Β ΣΕ 1,3 Β) ◆ JESD8-11 (0,9 Β ΣΕ 1,65 Β)
◆JESD8-7 (1,2 Β ΣΕ 1,95 Β) ◆ JESD8-5 (1,8 Β ΣΕ 2,7 Β)
◆JESD8-Β (2,7 Β ΣΕ 3,6 Β)
■Προστασία ESD:
◆Η κατηγορία jesd22-a114-δ 3A HBM υπερβαίνει 4000 Β
◆ΟΙ ΚΚ JESD22-A115-A ΥΠΕΡΒΑΊΝΟΥΝ 200 Β
◆CDM JESD22-C101-Γ ΥΠΕΡΒΑΊΝΕΙ 1000 Β
■Μικρή στατική κατανάλωση ισχύος ICC = 0,9 µA (μέγιστο)
■Σύρτης-επάνω στην απόδοση υπερβαίνει 100 μΑ ανά JESD 78 κατηγορία ΙΙ
■Οι εισαγωγές δέχονται τις τάσεις μέχρι 3,6 Β
■Χαμηλού θορύβου υπερανυψώστε και undershoot < 10="">
■Τα στοιχεία κυκλώματος IOFF παρέχουν τη μερική δύναμη-κάτω λειτουργία τρόπου
■Πολλαπλάσιες επιλογές συσκευασίας
■Διευκρινισμένος από −40 °C σε +85 °C και −40 °C σε +125 °C
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| ΚΑΠ 0402 100NF 16V X7R CL05B104KO5NNNC | SAMSUNG | AC4J02C | SMD0402 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1613/GDE | SMC |
| INDUTOR 0805 220R BLM21PG221SN1L | MURATA | AM6127681 | SMD0805 |
| RES 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0805 |
| RES 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0402 |
| RES 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1614 | SMD0402 |
| RES 2512 0R22 1% RL2512FK-070R22L |
YAGEO | 1614 | SMD2512 |
| ΔΙΑ NDT452AP | FSC | DH42AD | Μέθυσος-223 |
| FUSIVEL 30R250UU | LITTELFUSEI | 16/03/25/30/250U/P03L | Εμβύθιση-2 |
| DIODO MBR20200CTG | NSD618 | -220 | |
| CI TL431CDBZR | Tj | T3CU | Μέθυσος-23 |
| ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ BC817-25 | 1412/6BW | Μέθυσος-23 | |
| C.I LM35DZ | Tj | 620K9 | -92 |
| ΚΑΠ 100NF 100V 5% CL21B104JCCNNNC | SAMSUNG | AC3L01F | SMD0805 |
| ΚΑΠ 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | AC1N08K | SMD0805 |
| RES 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1615 | SMD0805 |
| DIODO ES1D-E3-61T | VISHAY | 1423/ED | SMA |
| C.I DAC5571IDBVT | Tj | D571 | Sot23-6 |
| C.I AME1085ACDT3 | AME | 36 | -263 |
| C.I LPC1788FBD208,551 | 1549 | Lqfp-208 | |
| C.I MC34063EBD-TR | ST | E9812 | Sop-8 |
| C.I 74HC244DB, 118 | 1418 | Ssop-20 | |
| DIODO TPD4E001DBVR | Tj | NFYF | Sot23-6 |
| C.I BD9781HFP-TR | ROHM | 807/808 | -263 |
| RELE G8P-1A4P-DC12 | OMRON | 29X5C1 | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| OPTOACOPLADOR VOM617A-3T | VISHAY | V442 | Sop-4 |
| ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ FDS6699S | FSC | PG9AF | Sop-8 |
| CI M24C04-WMN6TP | ST | K314S | Sop-8 |
| CI LP2951-50DR | Tj | KY5150/61MADTT | Sop-8 |
| DIODO VESD05-02V-Γ-08MEPC | VISHAY | VC | SOD523 |

