Νέα & αρχικά εποπτικά κυκλώματα ADM691AARNZ μικροεπεξεργαστών τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Εποπτικά κυκλώματα μικροεπεξεργαστών
ADM691A/ADM693A/ADM800L/M

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΦΡΑΓΜΩΝ
Χαμηλής ισχύος κατανάλωση:
Όργανο ελέγχου τάσης ακρίβειας
Ανοχή ±2% σε ADM800L/M
Χρόνος καθυστέρηση-200 αναστοιχειοθέτησης κα, ή διευθετήσιμος
1 εφεδρικό ρεύμα µA
Αυτόματη μετατροπή δύναμης μπαταριών εφεδρική
Γρήγορο εν πλω Gating του τσιπ επιτρέπει τα σήματα
Επίσης διαθέσιμος στη συσκευασία TSSOP (ADM691A)

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
Συστήματα μικροεπεξεργαστών
Υπολογιστές
Ελεγκτές
Ευφυή όργανα
Αυτοκίνητα συστήματα Γ
ritical έλεγχος δύναμης µP


ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Η οικογένεια ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M των εποπτικών κυκλωμάτων προσφέρει τις πλήρεις ενιαίες λύσεις τσιπ για τις λειτουργίες παρακολούθησης παροχής ηλεκτρικού ρεύματος και ελέγχου μπαταριών στα συστήματα μικροεπεξεργαστών. Αυτές οι λειτουργίες περιλαμβάνουν µP την αναστοιχειοθέτηση, μεταστροφή εφεδρικός-μπαταριών,
το χρονόμετρο φυλάκων, RAM CMOS γράφει την προστασία, και
προειδοποίηση δύναμη-αποτυχίας. Η οικογένεια των προϊόντων παρέχει μια βελτίωση για την οικογένεια MAX691A/93A/800M των προϊόντων.

Όλα τα μέρη είναι διαθέσιμα σε 16 ΕΜΒΥΘΙΣΗ και ΕΤΣΙ συσκευασίες καρφιτσών. Το ADM691A είναι επίσης διαθέσιμο σε μια εξοικονομητική χώρου TSSOP συσκευασία. Η ακόλουθη λειτουργία παρέχεται:

1. Δύναμη-στην παραγωγή αναστοιχειοθέτησης κατά τη διάρκεια δύναμη-επάνω, δύναμη-κατεβάστε και brownout τους όρους. Τα στοιχεία κυκλώματος παραμένουν λειτουργικά με VCC τόσο χαμηλό όπως 1 V.

2. Εφεδρική μετατροπή μπαταριών για το RAM CMOS, το μικροεπεξεργαστή CMOS ή άλλη χαμηλής ισχύος λογική.

3. Ένας σφυγμός αναστοιχειοθέτησης εάν το προαιρετικό χρονόμετρο φυλάκων δεν έχει επιλεχτεί μέσα σε έναν καθορισμένο χρόνο.

4. Ένας ανιχνευτής κατώτατων ορίων 1,25 Β για τη δύναμη αποτυγχάνει την προειδοποίηση, χαμηλή ανίχνευση μπαταριών, ή για να ελέγξει μια παροχή ηλεκτρικού ρεύματος άλλη
από +5 V.


ΑΠΟΛΥΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ RATINGS*
(TA = 25°C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
VCC…………………………… – 0,3 Β ΣΕ +6 Β
VBATT…………………………. – 0,3 Β σε +6 Β
Όλες οι άλλες εισαγωγές……………. – 0,3 Β VOUT + 0,5 Β
Ρεύμα εισαγωγής
VCC (αιχμή)…………………………. 1000 μΑ
VCC (συνεχής)……………………… 250 μΑ
VBATT (αιχμή)………………………… 250 μΑ
VBATT (συνεχές)……………………. 25 μΑ
GND, BATT………………………… ΣΕ 100 ΜΑ
Ψηφιακό ρεύμα παραγωγής……………………… 25 μΑ
Διασκεδασμός δύναμης, ν-16 ΕΜΒΥΘΙΣΗ………………… 842 MW
θϑA θερμική σύνθετη αντίσταση…………………. 135°C/W
Διασκεδασμός δύναμης, ρ-16 στενό SOIC…………. 700 MW
θJA θερμική σύνθετη αντίσταση…………………… .110°W
Διασκεδασμός δύναμης, ρ-16 ευρύ SOIC……………. 762 MW
θJA θερμική σύνθετη αντίσταση……………………. 110°C/W
Διασκεδασμός δύναμης, RU-16 TSSOP……………… 500 MW
θJA θερμική σύνθετη αντίσταση……………………. 158°C/W
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας
Βιομηχανικός (μια έκδοση)…………………… – 40°C σε +85°C
Συγκολλώντας, 10 SEC) θερμοκρασίας μολύβδου (………. V.… +300°C
Φάση ατμού (60 SEC)…………………………. 215°C
Υπέρυθρες ακτίνες (15 SEC)……………………………. +220°C
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης……………… – 65°C σε +150°C

*Stresses επάνω από εκείνους που απαριθμούνται κάτω από τις «απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις» μπορεί να προκαλέσει τη μόνιμη ζημία στη συσκευή. Αυτό είναι μια εκτίμηση πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτοί ή οποιουσδήποτε άλλουσδήποτε όρους επάνω από εκείνους που απαριθμούνται στα λειτουργικά τμήματα αυτής της προδιαγραφής δεν είναι υπονοούμενη. Η έκθεση στις απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις για τις εκτεταμένες χρονικές περιόδους μπορεί να έχει επιπτώσεις στην αξιοπιστία συσκευών.

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΟΥ ΟΔΗΓΟΥ