XCF32P Προγραμματιζόμενα τσιπ IC Στοιχεία IC της πλακέτας κυκλώματος προγραμματιζόμενα
ic programmer circuit
,programmable audio chip
Πλατφόρμα Flash In-System Προγραμματιζόμενη διαμόρφωση PROM
Χαρακτηριστικά
• Προγραμματιζόμενα μέσα στο σύστημα PROM για τη διαμόρφωση των Xilinx® FPGA
• Προηγμένη διαδικασία CMOS NOR Flash χαμηλής κατανάλωσης
• Αντοχή 20.000 Κύκλων Προγράμματος/Διαγραφής
• Λειτουργία σε πλήρες εύρος βιομηχανικής θερμοκρασίας (–40°C έως +85°C)
• Υποστήριξη IEEE Standard 1149.1/1532 Boundary-Scan (JTAG) για προγραμματισμό, δημιουργία πρωτοτύπων και δοκιμές
• Εντολή JTAG Έναρξη τυπικής διαμόρφωσης FPGA
• Cascadable για αποθήκευση μεγαλύτερων ή πολλαπλών ροών bit
• Τροφοδοτικό I/O αποκλειστικής σάρωσης ορίων (JTAG) (VCCJ)
• Καρφίτσες I/O συμβατές με επίπεδα τάσης που κυμαίνονται από 1,8V έως 3,3V
• Υποστήριξη σχεδίασης με χρήση των πακέτων λογισμικού Xilinx ISE® Alliance και Foundation™
• XCF01S/XCF02S/XCF04S
• Τάση τροφοδοσίας 3,3V
• Σειριακή διεπαφή διαμόρφωσης FPGA
• Διατίθεται σε πακέτα Small-Footprint VO20 και VOG20
• XCF08P/XCF16P/XCF32P
• Τάση τροφοδοσίας 1,8V
• Σειριακή ή παράλληλη διεπαφή διαμόρφωσης FPGA
• Διατίθεται σε πακέτα Small-Footprint VOG48, FS48 και FSG48
• Η τεχνολογία αναθεώρησης σχεδίασης επιτρέπει την αποθήκευση και την πρόσβαση σε πολλαπλές αναθεωρήσεις σχεδίασης
για Διαμόρφωση
• Ενσωματωμένος αποσυμπιεστής δεδομένων Συμβατός με την προηγμένη τεχνολογία συμπίεσης Xilinx
Περιγραφή
Η Xilinx παρουσιάζει τη σειρά Platform Flash των προγραμματιζόμενων PROM διαμόρφωσης εντός του συστήματος.Διαθέσιμα σε πυκνότητες 1 έως 32 Mb, αυτά τα PROM παρέχουν μια εύχρηστη, οικονομικά αποδοτική και επαναπρογραμματιζόμενη μέθοδο για την αποθήκευση μεγάλων ροών bit διαμόρφωσης Xilinx FPGA.Η σειρά Platform Flash PROM περιλαμβάνει τόσο το 3.3V XCFxxS PROM όσο και το 1.8V XCFxxP PROM.
Η έκδοση XCFxxS περιλαμβάνει PROM 4 Mb, 2 Mb και 1 Mb που υποστηρίζουν λειτουργίες διαμόρφωσης Master Serial και Slave Serial FPGA (Εικόνα 1).Η έκδοση XCFxxP περιλαμβάνει PROM 32 Mb, 16 Mb και 8 Mb που υποστηρίζουν λειτουργίες διαμόρφωσης Master Serial, Slave Serial, Master SelectMAP και Slave SelectMAP FPGA (Εικόνα 2).
Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις
| Σύμβολο | Περιγραφή | XCF01S, XCF02S, XCF04S | XCF08P, XCF16P, XCF32P | Μονάδες | |
| VCCINT | Εσωτερική τάση τροφοδοσίας σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +2,7 | V | |
| VCCO | Τάση τροφοδοσίας I/O σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +4,0 | V | |
| VCCJ | Τάση τροφοδοσίας I/O JTAG σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +4,0 | V | |
| VΣΕ | Τάση εισόδου σε σχέση με το GND | VCCO< 2,5 V | –0,5 έως +3,6 | –0,5 έως +3,6 | V |
| VCCO≥ 2,5V | –0,5 έως +5,5 | –0,5 έως +3,6 | V | ||
| VTS | Εφαρμοσμένη τάση στην έξοδο High-Z | VCCO< 2,5 V | –0,5 έως +3,6 | –0,5 έως +3,6 | V |
| VCCO≥ 2,5V | –0,5 έως +5,5 | –0,5 έως +3,6 | V | ||
| ΤSTG | Θερμοκρασία αποθήκευσης (περιβάλλοντος) | –65 έως +150 | –65 έως +150 | °C | |
| ΤJ | Θερμοκρασία διασταύρωσης | +125 | +125 | °C | |
Σημειώσεις:
1. Η μέγιστη πτώση DC κάτω από το GND πρέπει να περιορίζεται είτε στα 0,5 V είτε στα 10 mA, όποιο είναι πιο εύκολο να επιτευχθεί.Κατά τη διάρκεια των μεταβάσεων, οι ακροδέκτες της συσκευής μπορούν να υποχωρήσουν στα –2,0 V ή να υπερβούν στα +7,0 V, υπό την προϋπόθεση ότι αυτή η υπέρβαση ή η υποέκβαση διαρκεί λιγότερο από 10 ns και με το ρεύμα εξαναγκασμού να περιορίζεται στα 200 mA.
2. Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και δεν υπονοείται η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Συνθήκες Λειτουργίας.Η έκθεση σε συνθήκες Απόλυτου Μέγιστου Αξιολογήσεων για παρατεταμένες χρονικές περιόδους επηρεάζει αρνητικά την αξιοπιστία της συσκευής.
3. Για οδηγίες συγκόλλησης, ανατρέξτε στις πληροφορίες σχετικά με «Συσκευασία και θερμικά χαρακτηριστικά» στη διεύθυνση www.xilinx.com.
Προσφορά μετοχών (Hot Sell)
| Μέρος Αρ. | Ποσότητα | Μάρκα | D/C | Πακέτο |
| MCT61 | 10000 | FSC | 16+ | DIP-8 |
| MAX809LEUR+T | 10000 | ΑΠΟΦΘΕΓΜΑ | 16+ | ΜΕΘΥΣΟΣ |
| 52271-2079 | 3653 | MOLEX | 15+ | σύνδεσμος |
| ZVP3306FTA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23 |
| MBR10100G | 15361 | ΕΠΙ | 16+ | TO-220 |
| NTR2101PT1G | 38000 | ΕΠΙ | 16+ | SOT-23 |
| MBRD640CTT4G | 17191 | ΕΠΙ | 16+ | ΤΟ-252 |
| NTR4501NT1G | 38000 | ΕΠΙ | 15+ | SOT-23 |
| LM8272MMX | 1743 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| NDT014 | 10000 | ΠΑΡΑΚΙΔΙ | 14+ | SOT-223 |
| LM5007MM | 1545 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| NRF24L01+ | 3840 | ΣΚΑΝΔΙΝΑΒΙΚΟΣ | 10+ | QFN |
| MI1210K600R-10 | 30000 | ΟΙΚΟΝΟΜΟΣ | 16+ | SMD |
| A3144E | 25000 | ΓΟΡΓΑ | 13+ | TO-92 |
| MP3V5004DP | 5784 | ΔΩΡΕΑΝ Κλίμακα | 13+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| L9856 | 3422 | ST | 15+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| MAX629ESA-T | 4015 | ΑΠΟΦΘΕΓΜΑ | 10+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| LP2950CZ-5.0 | 6630 | NSC | 14+ | TO-92 |
| MCP1525T-I/TT | 4984 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | SOT-23 |
| MICRF211AYQS | 6760 | MICREL | 16+ | QSOP-16 |
| MCP6034-E/SL | 5482 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 12+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| MFRC52201HN1 | 6094 | 14+ | QFN | |
| MCP23S08-E/SO | 5188 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| XC6SLX25-2FTG256C | 545 | XILINX | 15+ | BGA |
| XC6SLX16-2FTG256C | 420 | XILINX | 15+ | BGA |
| CSC8801A | 2498 | HWCAT | 15+ | QFP |
| PIC16F1829-I/SO | 5268 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | ΔΟΛΩΜΑ |
| CSC3100 | 2487 | HWCAT | 16+ | QFP |
| PESD5V0L6US | 7050 | 16+ | ΔΟΛΩΜΑ | |
| MDB10S | 38000 | ΠΑΡΑΚΙΔΙ | 16+ | TDI |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485