Νέα & αυθεντική πλατφόρμα Flash με δυνατότητα προγραμματισμού PROM XCF32PVOG48C
programming ic chips
,ic programmer circuit
Πλατφόρμα Flash In-System Προγραμματιζόμενη διαμόρφωση PROM
Χαρακτηριστικά
• Προγραμματιζόμενα μέσα στο σύστημα PROM για τη διαμόρφωση των Xilinx® FPGA
• Προηγμένη διαδικασία CMOS NOR Flash χαμηλής κατανάλωσης
• Αντοχή 20.000 Κύκλων Προγράμματος/Διαγραφής
• Λειτουργία σε πλήρες εύρος βιομηχανικής θερμοκρασίας (–40°C έως +85°C)
• Υποστήριξη IEEE Standard 1149.1/1532 Boundary-Scan (JTAG) για προγραμματισμό, δημιουργία πρωτοτύπων και δοκιμές
• Εντολή JTAG Έναρξη τυπικής διαμόρφωσης FPGA
• Cascadable για αποθήκευση μεγαλύτερων ή πολλαπλών ροών bit
• Τροφοδοτικό I/O αποκλειστικής σάρωσης ορίων (JTAG) (VCCJ)
• Καρφίτσες I/O συμβατές με επίπεδα τάσης που κυμαίνονται από 1,8V έως 3,3V
• Υποστήριξη σχεδίασης με χρήση των πακέτων λογισμικού Xilinx ISE® Alliance και Foundation™
• XCF01S/XCF02S/XCF04S
* Τάση τροφοδοσίας 3,3 V
* Σειριακή διεπαφή διαμόρφωσης FPGA
* Διατίθεται σε πακέτα Small-Footprint VO20 και VOG20
• XCF08P/XCF16P/XCF32P
* Τάση τροφοδοσίας 1,8 V
* Σειριακή ή παράλληλη διεπαφή διαμόρφωσης FPGA
* Διατίθεται σε πακέτα Small-Footprint VO48, VOG48, FS48 και FSG48
* Η τεχνολογία αναθεώρησης σχεδίασης επιτρέπει την αποθήκευση και την πρόσβαση σε πολλαπλές αναθεωρήσεις σχεδίασης για διαμόρφωση
* Ενσωματωμένος αποσυμπιεστής δεδομένων Συμβατός με την προηγμένη τεχνολογία συμπίεσης Xilinx
Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις
| Σύμβολο | Περιγραφή | XCF01S, XCF02S, | XCF08P, XCF16P, XCF32P | Μονάδες | |
| VCCINT | Εσωτερική τάση τροφοδοσίας σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +2,7 | V | |
| VCCO | Τάση τροφοδοσίας I/O σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +4,0 | V | |
| VCCJ | Τάση τροφοδοσίας I/O JTAG σε σχέση με το GND | –0,5 έως +4,0 | –0,5 έως +4,0 | V | |
| VΣΕ | Τάση εισόδου σε σχέση με | VCCO< 2,5 V | –0,5 έως +3,6 | –0,5 έως +3,6 | V |
| VCCO≥ 2,5V | –0,5 έως +5,5 | –0,5 έως +3,6 | V | ||
| VTS | Τάση που εφαρμόζεται στο High-Z | VCCO< 2,5V | –0,5 έως +3,6 | –0,5 έως +3,6 | V |
| VCCO≥ 2,5V | –0,5 έως +5,5 | –0,5 έως +3,6 | V | ||
| ΤSTG | Θερμοκρασία αποθήκευσης (περιβάλλοντος) | –65 έως +150 | –65 έως +150 | °C | |
| ΤJ | Θερμοκρασία διασταύρωσης | +125 | +125 | °C | |
Σημειώσεις:
1. Η μέγιστη πτώση DC κάτω από το GND πρέπει να περιορίζεται είτε στα 0,5 V είτε στα 10 mA, όποιο είναι πιο εύκολο να επιτευχθεί.Κατά τη διάρκεια των μεταβάσεων, οι ακροδέκτες της συσκευής μπορούν να υποχωρήσουν στα –2,0 V ή να υπερβούν στα +7,0 V, υπό την προϋπόθεση ότι αυτή η υπέρβαση ή η υποέκβαση διαρκεί λιγότερο από 10 ns και με το ρεύμα εξαναγκασμού να περιορίζεται στα 200 mA.
2. Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και δεν υπονοείται η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Συνθήκες Λειτουργίας.Η έκθεση σε συνθήκες Απόλυτου Μέγιστου Αξιολογήσεων για παρατεταμένες χρονικές περιόδους επηρεάζει αρνητικά την αξιοπιστία της συσκευής.
3. Για οδηγίες συγκόλλησης, ανατρέξτε στις πληροφορίες σχετικά με «Συσκευασία και θερμικά χαρακτηριστικά» στη διεύθυνση www.xilinx.com.
Απαιτήσεις τάσης τροφοδοσίας για επαναφορά ενεργοποίησης και απενεργοποίηση
| Σύμβολο | Περιγραφή | XCF01S, XCF02S, | XCF08P, XCF16P, | Μονάδες | ||
| Ελάχ | Μέγιστη | Ελάχ | Μέγιστη | |||
| ΤVCC | VCCINTχρόνος ανόδου από 0V στην ονομαστική τάση (2) | 0.2 | 50 | 0.2 | 50 | Κυρία |
| VCCPOR | όριο POR για το VCCINTΠρομήθεια | 1 | - | 0,5 | - | V |
| ΤOER | Καθυστέρηση έκδοσης OE/RESET μετά από POR(3) | 0,5 | 3 | 0,5 | 30 | Κυρία |
| VCCPD | Κατώφλι απενεργοποίησης για το VCCINTΠρομήθεια | - | 1 | - | 0,5 | V |
| ΤRST | Χρόνος που απαιτείται για την ενεργοποίηση μιας επαναφοράς συσκευής όταν το VCCINTΗ προσφορά πέφτει κάτω από το μέγιστο VCCPDκατώφλι | 10 | - | 10 | - | Κυρία |
Σημειώσεις:
1. VCCINT, VCCO,και VCCJοι προμήθειες μπορούν να εφαρμοστούν με οποιαδήποτε σειρά.
2. Κατά την ενεργοποίηση, η συσκευή απαιτεί το VCCINTτροφοδοσία ρεύματος για μονότονη αύξηση στην ονομαστική τάση λειτουργίας εντός του καθορισμένου TVCCχρόνος ανόδου.Εάν το τροφοδοτικό δεν μπορεί να καλύψει αυτήν την απαίτηση, τότε η συσκευή ενδέχεται να μην εκτελέσει σωστά την ενεργοποίηση-επαναφορά.
3. Εάν το VCCINTκαι VCCOΤα αναλώσιμα δεν φτάνουν στις αντίστοιχες συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας πριν απελευθερωθεί η ακίδα OE/RESET, τότε τα δεδομένα διαμόρφωσης από το PROM δεν είναι διαθέσιμα στα συνιστώμενα επίπεδα κατωφλίου.Η ακολουθία διαμόρφωσης πρέπει να καθυστερήσει μέχρι και τα δύο VCCINTκαι VCCOέχουν επιτύχει τις συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας τους.
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485