MT48LC8M16A2P-6A IT:L Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ΣΥΓΧΡΟΝΗ DRAM

128 Mb: x4, x8, x16 SDRAM

ΣΥΓΧΡΟΝΗ ΔΡΑΜ

MT48LC32M4A2 – Τράπεζες 8 Meg x 4 x 4

MT48LC16M8A2 – 4 Meg x 8 x 4 τράπεζες

MT48LC8M16A2 – 2 Meg x 16 x 4 τράπεζες

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

• Συμβατό με PC100 και PC133

• Πλήρως σύγχρονη.όλα τα σήματα που είναι καταχωρημένα στη θετική άκρη του ρολογιού του συστήματος

• Εσωτερική λειτουργία με αγωγούς.Η διεύθυνση στήλης μπορεί να αλλάξει σε κάθε κύκλο ρολογιού

• Εσωτερικές τράπεζες για απόκρυψη πρόσβασης σε σειρά/προχρέωση

• Προγραμματιζόμενα μήκη ριπής: 1, 2, 4, 8 ή πλήρης σελίδα

• Αυτόματη προφόρτιση, περιλαμβάνει ΣΥΓΧΡΟΝΗ ΑΥΤΟΜΑΤΗ ΠΡΟΦΟΡΤΙΣΗ και λειτουργίες αυτόματης ανανέωσης

• Λειτουργία αυτοανανέωσης.τυπική και χαμηλής ισχύος

• 64ms, ανανέωση 4.096 κύκλων

• Είσοδοι και έξοδοι συμβατές με LVTTL

• Μονό τροφοδοτικό +3,3V ±0,3V

ΣΗΜΑΝΣΗ ΕΠΙΛΟΓΩΝ

• Διαμορφώσεις

32 Meg x 4 (8 Meg x 4 x 4 τράπεζες) 32M4

16 Meg x 8 (4 Meg x 8 x 4 τράπεζες) 16M8

8 Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4 τράπεζες) 8M16

• WRITE Recovery (^tWR)

^tWR = "2 CLK"¹Α2

• Πακέτο/Pinout

Πλαστική συσκευασία – OCPL²

 54-pin TSOP II (400 mil) TG

60-μπάλες FBGA (8mm x 16mm) FB^3,6

60-μπάλες FBGA (11mm x 13mm) FC^3,6

• Χρόνος (Κύκλος)

10ns @ CL = 2 (PC100) -8E^3,4,5

7,5ns @ CL = 3 (PC133) -75

7,5ns @ CL = 2 (PC133) -7E

• Αυτοανανέωση

Τυπικό Κανένα

Χαμηλής ισχύος L

• Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας

Εμπορικό (0℃ έως +70℃) Κανένα

Βιομηχανικό (-40℃ έως +85℃) IT³

Αριθμός ανταλλακτικού Παράδειγμα: MT48LC16M8A2TG-7E

ΣΗΜΕΙΩΣΗ:

1. Ανατρέξτε στην Τεχνική Σημείωση Micron: TN-48-05.

2. Εκτός κέντρου χωρίστρα.

3. Συμβουλευτείτε τη Micron για διαθεσιμότητα.

4. Δεν συνιστάται για νέα σχέδια.

5. Εμφανίζεται για συμβατότητα με PC100.6. Δείτε τη σελίδα 59 για τον πίνακα σήμανσης συσκευής FBGA.

ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το Micron® 128Mb SDRAM είναι μια CMOS υψηλής ταχύτητας, δυναμικής μνήμης τυχαίας πρόσβασης που περιέχει 134.217.728 bit.Είναι εσωτερικά διαμορφωμένο ως DRAM quad-bank με σύγχρονη διεπαφή (όλα τα σήματα καταχωρούνται στη θετική άκρη του σήματος ρολογιού, CLK).Κάθε μία από τις τράπεζες 33.554.432 bit του x4 είναι οργανωμένη ως 4.096 σειρές ανά 2.048 στήλες ανά 4 bit.Κάθε μία από τις τράπεζες 33.554.432 bit του x8 είναι οργανωμένη ως 4.096 σειρές ανά 1.024 στήλες ανά 8 bit.Κάθε μία από τις τράπεζες 33.554.432 bit του x16 είναι οργανωμένη ως 4.096 σειρές ανά 512 στήλες επί 16 bit.

Οι προσβάσεις ανάγνωσης και εγγραφής στο SDRAM είναι προσανατολισμένες σε ριπή.Οι προσβάσεις ξεκινούν από μια επιλεγμένη τοποθεσία και συνεχίζονται για έναν προγραμματισμένο αριθμό τοποθεσιών σε μια προγραμματισμένη ακολουθία.Οι προσβάσεις ξεκινούν με την καταχώρηση μιας εντολής ACTIVE, η οποία στη συνέχεια ακολουθείται από μια εντολή READ ή WRITE.Τα bit διεύθυνσης που έχουν καταχωρηθεί συμπίπτουν με την εντολή ACTIVE χρησιμοποιούνται για την επιλογή της τράπεζας και της σειράς προς πρόσβαση (BA0, BA1 επιλέξτε την τράπεζα, A0-A11 επιλέξτε τη σειρά).Τα bit διεύθυνσης που έχουν καταχωρηθεί συμπίπτουν με την εντολή READ ή WRITE χρησιμοποιούνται για την επιλογή της θέσης της αρχικής στήλης για την πρόσβαση ριπής.

Το SDRAM παρέχει προγραμματιζόμενα μήκη ριπής ΑΝΑΓΝΩΣΗΣ ή ΕΓΓΡΑΦΗΣ 1, 2, 4 ή 8 θέσεων ή ολόκληρη τη σελίδα, με επιλογή τερματισμού ριπής.Μια λειτουργία αυτόματης προφόρτισης μπορεί να είναι ενεργοποιημένη για να παρέχει μια αυτοχρονισμένη προφόρτιση σειρών που ξεκινά στο τέλος της ακολουθίας ριπής.

Η SDRAM 128 Mb χρησιμοποιεί μια εσωτερική αρχιτεκτονική διοχέτευσης για να επιτύχει λειτουργία υψηλής ταχύτητας.Αυτή η αρχιτεκτονική είναι συμβατή με τον κανόνα 2n των αρχιτεκτονικών προφόρτωσης, αλλά επιτρέπει επίσης την αλλαγή της διεύθυνσης της στήλης σε κάθε κύκλο ρολογιού για την επίτευξη μιας υψηλής ταχύτητας, πλήρως τυχαίας πρόσβασης.Η προφόρτιση μιας τράπεζας ενώ έχετε πρόσβαση σε μία από τις άλλες τρεις τράπεζες θα κρύψει τους κύκλους προφόρτισης και θα παρέχει απρόσκοπτη λειτουργία υψηλής ταχύτητας και τυχαίας πρόσβασης.

Η SDRAM 128 Mb έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί σε συστήματα μνήμης 3,3 V.Παρέχεται λειτουργία αυτόματης ανανέωσης, μαζί με λειτουργία εξοικονόμησης ενέργειας, απενεργοποίησης.Όλες οι είσοδοι και έξοδοι είναι συμβατές με LVTTL.

Οι SDRAM προσφέρουν σημαντικές προόδους στην απόδοση λειτουργίας DRAM, συμπεριλαμβανομένης της δυνατότητας συγχρονισμένης ριπής δεδομένων με υψηλό ρυθμό δεδομένων με αυτόματη δημιουργία διευθύνσεων στηλών, της δυνατότητας παρεμβολής μεταξύ εσωτερικών τραπεζών για την απόκρυψη του χρόνου προφόρτισης και της δυνατότητας τυχαίας αλλαγής διευθύνσεων στηλών σε κάθε ρολόι κύκλο κατά τη διάρκεια μιας ριπής πρόσβασης.

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΕΣ*

Τάση σε τροφοδοσία VDD/VDDQ σε σχέση με VSS ................................... .. -1V έως +4,6V

Τάση σε εισόδους, ακίδες NC ή I/O σε σχέση με VSS ................................ ... -1V έως +4,6V

Θερμοκρασία λειτουργίας, TA (εμπορική)................................. ..........0°C έως +70°C

Θερμοκρασία λειτουργίας, TA (εκτεταμένη, εξαρτήματα πληροφορικής) ...................................... -40 °C έως +85 °C

Θερμοκρασία αποθήκευσης (πλαστικό)................................................. .................. -55°C έως +150°C

Διαρροή ρεύματος ...................................................... ................................................ ..... 1W

*Τάσεις μεγαλύτερες από αυτές που αναφέρονται στην ενότητα "Απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες" μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτή είναι μόνο μια βαθμολογία τάσης και δεν υπονοείται η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πάνω από αυτές που υποδεικνύονται στις ενότητες λειτουργίας αυτής της προδιαγραφής.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης αξιολόγησης για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία.

Προσφορά μετοχών (Hot Sell)