Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης > IR2132S ολοκληρωμένο κύκλωμα τσιπ Power Mosfet 3-Phase Bridge Driver

IR2132S ολοκληρωμένο κύκλωμα τσιπ Power Mosfet 3-Phase Bridge Driver

κατασκευαστής:
Infineon
Περιγραφή:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα οδηγών πυλών μισό-γεφυρών που αναστρέφει 28-SOIC
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Υψηλή δευτερεύουσα να επιπλεύσει τάση ανεφοδιασμού:
-0,3 έως 625 Β
Χαμηλή πλευρά και σταθερή λογική τάση ανεφοδιασμού:
-0,3 έως 25 Β
Έδαφος λογικής:
Vcc - 25 έως Vcc + 0,3 Β
Χαμηλή δευτερεύουσα τάση παραγωγής:
-0,3 έως Vcc + 0,3 Β
ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΣΥΝΔΕΣΕΩΝ:
150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
-55 έως 150 °C
Κυριώτερο σημείο:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Εισαγωγή

 

IR2130/IR2132(J)(S) & (PbF)

ΟΔΗΓΟΣ ΓΕΦΥΡΑΣ 3 ΦΑΣΙΚΟΥ

 

Χαρακτηριστικά

• Πλωτό κανάλι σχεδιασμένο για λειτουργία bootstrap Πλήρως λειτουργικό έως +600V Ανεκτικό σε αρνητική μεταβατική τάση dV/dt ανοσοποιητικό

• Εύρος παροχής κίνησης πύλης από 10 έως 20 V

• Κλείδωμα υπότασης για όλα τα κανάλια

• Ο τερματισμός λειτουργίας υπερβολικού ρεύματος απενεργοποιεί και τα έξι προγράμματα οδήγησης

• Ανεξάρτητοι οδηγοί μισής γέφυρας

• Αντιστοιχισμένη καθυστέρηση μετάδοσης για όλα τα κανάλια

• Λογική συμβατότητα 2,5V

• Έξοδοι εκτός φάσης με εισόδους

• Λογική πρόληψης διασταυρούμενης αγωγής

• Διατίθεται και ΑΜΟΛΥΔΩΤΟ

 

Περιγραφή

Το IR2130/IR2132(J)(S) είναι ένα πρόγραμμα οδήγησης MOSFET υψηλής τάσης, υψηλής ταχύτητας ισχύος και IGBT με τρία ανεξάρτητα κανάλια εξόδου αναφοράς υψηλής και χαμηλής πλευράς.Η αποκλειστική τεχνολογία HVIC επιτρέπει τη στιβαρή μονολιθική κατασκευή.Οι λογικές είσοδοι είναι συμβατές με εξόδους CMOS ή LSTTL, έως και 2,5 V λογικής.Ένας λειτουργικός ενισχυτής με αναφορά στο έδαφος παρέχει αναλογική ανάδραση του ρεύματος της γέφυρας μέσω μιας εξωτερικής αντίστασης αίσθησης ρεύματος.

 

Από αυτήν την αντίσταση προέρχεται επίσης μια συνάρτηση διακοπής ρεύματος που τερματίζει και τις έξι εξόδους.Ένα σήμα ανοιχτής αποστράγγισης FAULT υποδεικνύει εάν έχει σημειωθεί διακοπή λειτουργίας υπερβολικού ρεύματος ή χαμηλής τάσης.Οι οδηγοί εξόδου διαθέτουν μια βαθμίδα προσωρινής αποθήκευσης ρεύματος υψηλού παλμού που έχει σχεδιαστεί για ελάχιστη εγκάρσια αγωγιμότητα του οδηγού.Οι καθυστερήσεις διάδοσης αντιστοιχίζονται για να απλοποιηθεί η χρήση σε υψηλές συχνότητες.Τα αιωρούμενα κανάλια μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την οδήγηση MOSFET ισχύος N καναλιών ή IGBT σε διαμόρφωση υψηλής πλευράς που λειτουργούν έως και 600 βολτ.

 

Περίληψη προϊόντος

VΑΝΤΙΣΤΑΘΜΙΖΕΤΑΙ600V μέγ.


ΕγώΟ+/- 200 mA / 420 mA


VΕΞΩ10 - 20 V


tενεργοποίηση/απενεργοποίηση(τυπ.) 675 & 425 ns


Deadtime (τύπος) 2,5 µs (IR2130)

0,8 µs (IR2132)

 

Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις

Οι Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις υποδεικνύουν παρατεταμένα όρια πέρα ​​από τα οποία μπορεί να προκληθεί ζημιά στη συσκευή.Όλες οι παράμετροι τάσης είναι απόλυτες τάσεις που αναφέρονται στο VS0.Οι βαθμολογίες θερμικής αντίστασης και απαγωγής ισχύος μετρώνται σε συνθήκες πλακέτας και σταθερού αέρα.Πρόσθετες πληροφορίες φαίνονται στα Σχήματα 50 έως 53.

Σύμβολο Ορισμός Ελάχ. Μέγιστη. Μονάδες
VΒ1,2,3 Κυμαινόμενη Τάση Παροχής Υψηλής Πλευράς -0,3 625 V
VS1,2,3 Υψηλή Πλευρική Μετατόπιση Τάσης VΒ1,2,3- 25 VΒ1,2,3+ 0,3 V
VHO1,2,3 Κυμαινόμενη Τάση Εξόδου Υψηλής Πλευράς VS1,2,3- 0,3 VΒ1,2,3+ 0,3 V
VCC Σταθερή τάση τροφοδοσίας χαμηλής πλευράς και λογικής -0,3 25 V
VSS Λογική βάση VCC- 25 VCC+ 0,3 V
VLO1,2,3 Τάση εξόδου χαμηλής πλευράς -0,3 VCC+ 0,3 V
VΣΕ Λογική τάση εισόδου (HIN1,2,3, LIN1,2,3 & ITRIP) VSS- 0,3 (VSS+ 15) ή (VCC+ 0,3) όποιο είναι χαμηλότερο V
VFLT ΣΦΑΛΜΑ Τάση εξόδου VSS- 0,3 VCC+ 0,3 V
VCAO Τάση εξόδου λειτουργικού ενισχυτή VSS- 0,3 VCC+ 0,3 V
VCA- Λειτουργικός Ενισχυτής Αναστροφής Τάσης Εισόδου VSS- 0,3 VCC+ 0,3 V
dVμικρό/dt Επιτρεπόμενη μεταβατική τάση τροφοδοσίας μετατόπισης 50 V/ns
Πρε Διαρροή Ισχύος Πακέτο @ ΤΕΝΑ≤ +25°C 28 DIP μολύβδου) 1.5 W
(28 Επικεφαλής SOIC) 1.6 W
(44 Μόλυβδος PLCC) 2.0 W
RthJA Θερμική Αντίσταση, Διασταύρωση με Περιβάλλον (28 DIP μολύβδου) 83 °C/W
(28 Επικεφαλής SOIC) 78 °C/W
(44 Μόλυβδος PLCC) 63 °C/W
ΤJ Θερμοκρασία διακλάδωσης 150 °C
Τμικρό Θερμοκρασία αποθήκευσης -55 150 °C
Τμεγάλο Θερμοκρασία καλωδίου (Συγκόλληση, 10 δευτερόλεπτα) 300 °C

 

Πακέτα

 

 

 

 

 

 

 

Προσφορά μετοχών (Hot Sell)

Μέρος Αρ. Ποσότητα Μάρκα D/C Πακέτο
TDA7295 11556 ST 13+ ΤΚ-15
TDA7296 11157 ST 13+ ΤΚ-15
TDA7376B 10418 ST 16+ ΤΚ-15
TDA7377 25164 ST 16+ ΤΚ-15
TDA1557Q 2300 16+ ΤΚ-13
TDA7057AQ 3080 16+ ΤΚ-13
TDA1516BQ 1304 PHILIPS 15+ ΤΚ-13
TDA8563Q 1973 PHILIPS 10+ ΤΚ-13
UDN2879W 2702 ΓΟΡΓΑ 13+ ΤΚ-12
SLA4061 15278 SANKEN 13+ ΤΚ-12
SLA4390 3098 SANKEN 16+ ΤΚ-12
SLA5013 1800 SANKEN 16+ ΤΚ-12
SLA5060 2777 SANKEN 13+ ΤΚ-12
STK73904 1823 SANYO 16+ ΤΚ-11
TDA2005R 6764 ST 12+ ΤΚ-11
TDA7265 26256 ST 16+ ΤΚ-11
TDA7292 2609 ST 10+ ΤΚ-11
TDA7396 2207 ST 15+ ΤΚ-11
UPA1556AH 14286 NEC 16+ ΤΚ-10
STA408A 1319 SANKEN 14+ ΤΚ-10
STA413A 4500 SANKEN 14+ ΤΚ-10
STA460C 3430 SANKEN 16+ ΤΚ-10
SF15DUZ-H1-4 824 MITSUBIS 16+ φερμουάρ
TDA8359J 13828 16+ φερμουάρ
TDA8920CJ 2039 16+ φερμουάρ
TDA1554Q 11556 PHILIPS 13+ φερμουάρ
TDA2616Q 7272 PHILIPS 16+ φερμουάρ
TDA8944J 13551 PHILIPS 16+ φερμουάρ
STRS5707 17184 SANKEN 13+ φερμουάρ
STRX6759 1694 SANKEN 16+ φερμουάρ

 

 

 

 

Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs