TPCA8109(TE12L1,V Μνήμη προγράμματος τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος IC
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
P-Channel 30 Β 24A (TA) 1.6W (TA), επιφάνεια 30W (TC) τοποθετεί την πρόοδο 8-sop (5x5)
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Σειρά θερμοκρασίας:
-50 έως +150 °C
όρος πληρωμής:
T/T, Paypal, Western Union
Τάση:
30 Β
Τρέχων:
5A
Συσκευασία:
Sop-8
Συσκευασία εργοστασίων:
Εξέλικτρο
Κυριώτερο σημείο:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
Εισαγωγή
Τύπος MOS καναλιού P καναλιού τρανζίστορ εφέ πεδίου (U-MOSⅥ)TPCA8109Εφαρμογές μπαταριών ιόντων λιθίου Εφαρμογές διακόπτη διαχείρισης ενέργειας
Χαρακτηριστικά
• Μικρό αποτύπωμα λόγω μικρής και λεπτής συσκευασίας
• Χαμηλή αντίσταση ON-πηγή αποστράγγισης: RDS (ON) = 7 mΩ (τυπ.)
• Χαμηλό ρεύμα διαρροής: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −30 V)
• Λειτουργία βελτίωσης: Vth = −0,8 έως −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)
| ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΕΣ(1) |
|
Τάση πηγής αποστράγγισης VDSS −30 V
Τάση πύλης αποστράγγισης (RGS = 20 kΩ) VDGR −30 V
Τάση πύλης-πηγής VGSS −25/+20 V
DC (Σημείωση 1) ID −24 Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης (Σημείωση 1)
IDP −72 A Διαρροή ισχύος αποστράγγισης (Tc=25°C) PD 30 W
Διαρροή ισχύος αποστράγγισης (t = 10 s) (Σημείωση 2α) PD 2,8 W
Διαρροή ισχύος αποστράγγισης (t = 10 s) (Σημείωση 2β) PD 1,6 W
Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού (Σημείωση 3) EAS 75 mJ
Ρεύμα χιονοστιβάδας IAR −24 A
Θερμοκρασία καναλιού Tch 150 °C
Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης Tstg −55 έως 150 °C
|
ΜΕΡΟΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΟΣ
| ATMEGA328P-MU | TLP620 GB |
| RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
| 1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
| BC856BT | TLC59283DBQR |
| SN74LS244N | CA3140EZ |
| ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
| OPA07CSZ | IRF4905PBF |
| 742792118* | Α30-400 |
| OPA333AIDCKR | Α30-500 |
| SAK-C167CS-LMCA | Α30-600 |
| ATM46C3 | Α30-800 |
| A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
| U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
| BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
| PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
| PIC16F883-I/SO | BD677A |
| IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
| VT6315N | TZM5256B-GS08 |
| ΣΚΑ3/17 | TOP232PN |
| STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
| AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
| TL7705ACDR | LM4861MX |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs