Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > SPC6332S36RGB Ηλεκτρονικά IC Chips Ενσωματωμένα κυκλώματα IC Συστατικά

SPC6332S36RGB Ηλεκτρονικά IC Chips Ενσωματωμένα κυκλώματα IC Συστατικά

SPC6332S36RGB Ηλεκτρονικά IC Chips Ενσωματωμένα κυκλώματα IC Συστατικά
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Σειρά θερμοκρασίας:
-55°C σε +150°C
Όρος πληρωμής:
T/T, Paypal, Western Union
Τάση:
±20V
Τρέχων:
0.6A
Συσκευασία:
Μέθυσος-363
Συσκευασία εργοστασίων:
3000/REEL
Κυριώτερο σημείο:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Εισαγωγή

SPC6332S36RGB Ηλεκτρονικά IC Chips Ενσωματωμένα κυκλώματα IC Συστατικά

Περιγραφή

Το SPC6332 είναι το N- και P-Channel mode enhancement power field effect transistors που παράγονται χρησιμοποιώντας υψηλής πυκνότητας κυττάρων, τεχνολογία DMOS trench.Αυτή η διαδικασία υψηλής πυκνότητας είναι ειδικά σχεδιασμένη για να ελαχιστοποιήσει την αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας και να παρέχει ανώτερη απόδοση εναλλαγής.

Αυτές οι συσκευές είναι ιδιαίτερα κατάλληλες για εφαρμογές χαμηλής τάσης, όπως η διαχείριση ισχύος υπολογιστών φορητών υπολογιστών και άλλα κυκλώματα που τροφοδοτούνται από μπαταρίες, όπου η στροφή υψηλής πλευράς, η χαμηλή απώλεια ισχύος σε γραμμή,και αντοχή σε μεταβατικά είναι απαραίτητες.

Ένα μέροςτουκατάλογος αποθεμάτων

C.I MM74HC164MX FSC Π0552AD/P9FAD SOP-14
ΔΙΟΔΟ BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
ΔΙΟΔΟ SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
ΔΙΟΔΟ BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
ΔΙΟΔΟ SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
ΚΑΠ 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
ΚΑΠ 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL Μικροτσίπ 16255C4 SOP-14
ΑΚΟΠΛΑΔΟΡ. ΣΑΡΠ 2016.08.10/H33 DIP-4
ΤΡΑΝΣ 2Σ52Μ Χάνιγουελ 2SSM/523-LF ΤΟ-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM ΤΙ XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE ΤΙ 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G Μικροτσίπ CL2C SOT-89
C.I SN75179BP ΤΙ 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS ΣΤ 135 SOP-24
CAP 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
Δοκιμαστής 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK Υδροξείδιο SMD6045
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιείται για την παραγωγή ηλεκτρικών συσκευών ηλεκτρικής ενέργειας. ΠΑΝ Υ1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN Μικροτσίπ 1636M6G SOP-8
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την ανάλυση των διακυμάνσεων μεταξύ των διακυμάνσεων. NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
ΑΠΕ RC0805JR-0727RL ΓΓΕΟ 1538 Μειωμένο μέγεθος
C.I SN75240PW ΤΙ 11/A75240 MSOP-8
ΑΠΕ RC0805JR-0715KL ΓΓΕΟ 1637 Μειωμένο μέγεθος
ΚΑΠ CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 Μειωμένο μέγεθος
CAP CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H Μειωμένο μέγεθος
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% ΓΓΕΟ 1638 Μειωμένο μέγεθος
RES 3K3 5% ΥΠΟΘΕΣΗ 0805RC0805JR-073K3L ΓΓΕΟ 1623 Μειωμένο μέγεθος
ΤΡΙΑΚ BTA26-600BRG ΣΤ 628 ΤΟ-3Π
ΚΑΠ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK ΙΒ16Φ15763SD Μειωμένο μέγεθος

Χαρακτηριστικά

Διάδρομος N

20V/0.95A,RDS(ON) = 380mΩ@VGS=4.5V

20V/0,75A,RDS ((ON) = 450mΩ@VGS=2,5V

20V/0,65A,RDS ((ON) = 800mΩ@VGS=1,8V

Διάδρομος P -20V/1.0A,RDS ((ON) = 520mΩ@VGS=-4.5V

-20V/0,8A,RDS(ON) = 700mΩ@VGS=-2,5V -20V/0,7A,

Δοκιμαστικό σύστημα

Σχεδιασμός κυψελών υπερ-υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά χαμηλό RDS (ON)

Εξαιρετική αντίσταση και μέγιστη ικανότητα συνεχούς ρεύματος

Σχεδιασμός συσκευασίας SOT-363 (SC-70-6L)

Εφαρμογές

z Διαχείριση ενέργειας στο σημειωματάριο

z Φορητός εξοπλισμός

z Σύστημα που λειτουργεί με μπαταρία

z Μετατροπέας συνεχούς ρεύματος / συνεχούς ρεύματος

z Διακόπτης φόρτωσης

z DSC

z Μετατροπέας οθόνης LCD

Διατάξη καρφίτσες

Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
3000pcs