IR2117SPBF SINGLE CHANNEL DRIVER κοινά ολοκληρωμένα κυκλώματα
electronics ic chip
,integrated circuit components
ΛΙΣΤΑ ΑΠΟΘΕΜΑΤΟΣ
| SN7417N | 3755 | ΤΙ | 16+ | ΒΟΥΤΙΑ |
| VN920SP | 3756 | ST | 15+ | SOP10 |
| CNY75B | 3772 | VISHAY | 16+ | DIP-6 |
| DS1803 | 3777 | DALLAS | 15+ | SOP16 |
| MC33171 | 3778 | ΕΠΙ | 12+ | SOP8 |
| 74LVC1G125DCKR | 3800 | ΤΙ | 16+ | SOT23 |
| AD8009ARZ | 3800 | ΕΝΑ Δ | 12+ | SOP8 |
| BA4560 | 3800 | ROHM | 16+ | SOP8 |
| BD680 | 3800 | ST | 16+ | TO-126 |
| CDRH6D28-101NC | 3800 | ΣΟΥΜΙΔΑ | 16+ | SMD |
| EL7202CS | 3800 | ELANTEC | 16+ | SOP-8 |
| IRF1010NPBF | 3800 | IR | 16+ | TO-220 |
| TDA2030A | 3800 | ST | 14+ | TO-220 |
| UC3854N | 3800 | ΤΙ | 16+ | DIP16 |
| GS3137-08-TAZ | 3801 | CONEXANT | 16+ | ΤΣΣΟΠ |
| TNY267PN | 3822 | ΕΞΟΥΣΙΑ | 15+ | DIP-7 |
| TOP245PN | 3822 | ΕΞΟΥΣΙΑ | 16+ | DIP-7 |
| AD8051AR | 3852 | ΕΝΑ Δ | 15+ | SOP8 |
| TS5A3153DCUR | 3870 | ΤΙ | 12+ | VSSOP-8 |
| E6N02 | 3874 | ΕΠΙ | 16+ | SOP8 |
| FMMTA14 | 3888 | ZETEX | 12+ | SOT23 |
| TLC072CDGNR | 3888 | ΤΙ | 16+ | MSOP8 |
| BTS442E2 | 3900 | 16+ | SOT-263 | |
| FDD6670AL | 3900 | ΠΑΡΑΚΙΔΙ | 16+ | TO252 |
| NC7SZ00M5X | 3900 | ΠΑΡΑΚΙΔΙ | 16+ | SOT-153 |
IR2117SΜΟΝΟΚΑΝΑΛΙΟ ΟΔΗΓΟΣ κοινά ολοκληρωμένα κυκλώματα
Χαρακτηριστικά
• Πλωτό κανάλι σχεδιασμένο για λειτουργία bootstrap Πλήρως λειτουργικό έως +600V Ανεκτικό σε αρνητική μεταβατική τάση dV/dt ανοσοποιητικό
• Εύρος παροχής κίνησης πύλης από 10 έως 20 V
• Κλείδωμα υπότασης
• Είσοδοι ενεργοποίησης CMOS Schmitt με pull-down
• Έξοδος σε φάση με είσοδο (IR2117) ή εκτός φάσης με είσοδο (IR2118)
• Διατίθεται και ΑΜΟΛΥΔΩΤΟ
Περιγραφή
Το IR2117/IR2118(S) είναι ένα MOSFET υψηλής τάσης, υψηλής ταχύτητας ισχύος και πρόγραμμα οδήγησης IGBT.Οι ιδιόκτητες τεχνολογίες HVIC και latch immune CMOS επιτρέπουν τη στιβαρή μονολιθική κατασκευή.Η λογική είσοδος είναι συμβατή με τυπικές εξόδους CMOS.Ο οδηγός εξόδου διαθέτει μια βαθμίδα προσωρινής αποθήκευσης ρεύματος υψηλού παλμού σχεδιασμένη για ελάχιστη διασταυρούμενη αγωγιμότητα.Το πλωτό κανάλι μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την οδήγηση ενός MOSFET ισχύος N καναλιών ή IGBT σε διαμόρφωση υψηλής ή χαμηλής πλευράς που λειτουργεί έως και 600 βολτ.