AD822ARZ Ολοκληρωμένο κύκλωμα τσιπ ενιαίας τροφοδοσίας, Rail-to-Rail χαμηλής ισχύος FET-Είσοδος Op Amp
electronics ic chip
,integrated circuit components
Ενισχυτής λειτουργίας εισόδου FET χαμηλής ισχύος AD822 με μία παροχή, Rail-to-Rail
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
- Πραγματική λειτουργία μίας παροχής
- Η έξοδος ταλαντεύεται από ράγα σε ράγα
- Το εύρος της τάσης εισόδου εκτείνεται κάτω από το έδαφος
- Δυνατότητα μονής παροχής από 3 V έως 36 V
- Δυνατότητα διπλής τροφοδοσίας από ±1,5 V έως ±18 V
- Κίνηση υψηλού φορτίου
- Χωρητική κίνηση φορτίου 350 pF, G = +1
- Ελάχιστο ρεύμα εξόδου 15 mA
- Εξαιρετική απόδοση εναλλασσόμενου ρεύματος για χαμηλή ισχύ
- Μέγιστο ρεύμα ηρεμίας 800 μA ανά ενισχυτή
- Εύρος ζώνης απολαβής μονάδας: 1,8 MHz
- Ρυθμός περιστροφής 3,0 V/μs
- Καλή απόδοση dc
- Μέγιστη τάση μετατόπισης εισόδου 800 μV
- 2 μV/°C τυπική μετατόπιση τάσης
- Μέγιστο ρεύμα πόλωσης εισόδου 25 pA
- Χαμηλό θόρυβο
- 13 nV/√Hz @ 10 kHz
- Χωρίς αναστροφή φάσης
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
- Όργανα ακριβείας με μπαταρίες
- Προενισχυτές φωτοδιόδου
- Ενεργά φίλτρα
- Συστήματα απόκτησης δεδομένων 12-bit έως 14-bit
- Ιατρικά όργανα
- Αναφορές και ρυθμιστές χαμηλής ισχύος
ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΣΥΝΔΕΣΗΣ
Εικόνα 1. 8-Οδηγός PDIP (Επίθημα N).8-Lead MSOP (Επίθημα RM).και 8-Lead SOIC (Επίθημα R)
ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Ο AD822 είναι ένας ενισχυτής εισόδου FET διπλής ακρίβειας, χαμηλής ισχύος που μπορεί να λειτουργήσει από μία μόνο παροχή 3,0 V έως 36 V ή διπλές τροφοδοσίες ± 1,5 V έως ± 18 V. Έχει πραγματική δυνατότητα απλής τροφοδοσίας με εύρος τάσης εισόδου εκτείνεται κάτω από την αρνητική ράγα, επιτρέποντας στο AD822 να δέχεται σήματα εισόδου κάτω από το έδαφος στη λειτουργία απλής τροφοδοσίας.Η αιώρηση της τάσης εξόδου εκτείνεται σε 10 mV κάθε ράγας, παρέχοντας το μέγιστο δυναμικό εύρος εξόδου.
Εικόνα 2. Θόρυβος τάσης εισόδου έναντι συχνότητας
Τάση μετατόπισης μέγιστης 800 μV, μετατόπιση τάσης μετατόπισης 2 μV/°C, ρεύματα πόλωσης εισόδου κάτω από 25 pA και χαμηλός θόρυβος τάσης εισόδου παρέχουν ακρίβεια συνεχούς ρεύματος με σύνθετες αντιστάσεις πηγής έως και ένα gigaohm.Το εύρος ζώνης κέρδους μονάδας 1,8 MHz, –93 dB THD στα 10 kHz και ο ρυθμός περιστροφής 3 V/μs παρέχονται με χαμηλό ρεύμα τροφοδοσίας 800 μA ανά ενισχυτή.
ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Το AD822 οδηγεί έως και 350 pF άμεσου χωρητικού φορτίου ως ακόλουθος και παρέχει ελάχιστο ρεύμα εξόδου 15 mA.Αυτό επιτρέπει στον ενισχυτή να χειρίζεται ένα ευρύ φάσμα συνθηκών φορτίου.Ο συνδυασμός απόδοσης εναλλασσόμενου ρεύματος και συνεχούς ρεύματος, καθώς και η εξαιρετική ικανότητα μεταφοράς φορτίου, έχει ως αποτέλεσμα έναν εξαιρετικά ευέλικτο ενισχυτή για τον χρήστη με μία παροχή.
Το AD822 διατίθεται σε δύο βαθμούς απόδοσης.Ο βαθμός Α και ο βαθμός Β βαθμολογούνται στο εύρος βιομηχανικών θερμοκρασιών από -40°C έως +85°C.
Το AD822 προσφέρεται σε τρεις ποικιλίες συσκευασιών 8 μολύβδου: PDIP, MSOP και SOIC.
Εικόνα 3. Ενισχυτής Gain-of-2.VS = 5, 0, VIN = 2,5 V Ημιτονοειδής στο κέντρο στα 1,25 V, RL = 100 Ω
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΕΣ
Βαθμολογία παραμέτρων |
Τάση τροφοδοσίας ±18 V Εσωτερική απαγωγή ισχύος1 PDIP (N) Παρατηρήστε τις καμπύλες μείωσης SOIC (R) Παρατηρήστε τις καμπύλες μείωσης Τάση εισόδου (+Vμικρό+ 0,2 V) έως −(20 V + Vμικρό) Βραχυκύκλωμα εξόδου Διάρκεια Αόριστο Διαφορική τάση εισόδου ±30 V Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης (N) –65°C έως +125°C Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης (R, RM) –65°C έως +150°C Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας AD822 A Grade και B Grade –40°C έως +85°C Εύρος θερμοκρασίας μολύβδου (Συγκόλληση, 60 sec) 260°C |
1 πακέτο PDIP 8 απαγωγών: θJA= 90°C/W.
Πακέτο SOIC 8 μολύβδου: θJA= 160°C/W.
Πακέτο MSOP 8 απαγωγών: θJA= 190°C/W.
Οι πιέσεις πάνω από αυτές που αναφέρονται στην ενότητα Απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτή είναι μόνο μια αξιολόγηση άγχους.Η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πάνω από αυτές που υποδεικνύονται στην ενότητα λειτουργίας αυτής της προδιαγραφής δεν υπονοείται.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.