IRF3205PBF Mosfet λειτουργούσα θερμοκρασία κρυσταλλολυχνιών δύναμης 175°C υπερβολικά χαμηλή επάνω - αντίσταση
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
; MOSFET 55V 98A -220 δύναμης IRF3205PbF HEXFET® MOSFET κρυσταλλολυχνίες
Περιγραφή
Προηγμένα MOSFETs δύναμης HEXFET® από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιούν τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία
- ; Υπερβολικά χαμηλή -αντίσταση
- ; Δυναμική εκτίμηση dv/dt
- ; 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία
- ; Γρήγορη μετατροπή
- ; Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται
- ; Αμόλυβδος

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
