Αμόλυβδη Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, Mosfet υψηλής ταχύτητας 200V 18A κρυσταλλολυχνία IRF640NPBF
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
IRF640NPBF ΕΜΒΥΘΙΣΗ δια MOSFET μετατροπής καναλιών 200V 18A Ν την κρυσταλλολυχνία δύναμης
Περιγραφή
Πέμπτο MOSFET s δύναμης ® παραγωγής HEXFET από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία.
Το Δ2Pakείναιμιαεπιφάνειατοποθετείτησυσκευασίαδύναμηςικανήταμεγέθηκύβωνμέχριδεκαεξαδικό-4. Παρέχειτηνικανότηταυψηλότερηςδύναμηςκαιχαμηλότεροςοπιθανόςστηναντίστασησεοποιαδήποτευπάρχουσαεπιφάνειατοποθετείτησυσκευασία. ΤοΔ2Pakείναικατάλληλογιατιςυψηλής τάσηςεφαρμογέςλόγωτηςχαμηλήςεσωτερικήςαντίστασηςσύνδεσήςτουκαιμπορείνα διαλύσειμέχρι2.0Wσε μιαχαρακτηριστικήεπιφάνειατοποθετείτηνεφαρμογή.
Η έκδοση μέσω-τρυπών (IRF640NL) είναι διαθέσιμη για την εφαρμογή μικρής ακτινοβολίας.
Χαρακτηριστικό γνώρισμα
προηγμένη λ τεχνολογική διαδικασία
δυναμική dv/dt εκτίμηση λ
λ 175°C που λειτουργεί το emperature Τ
γρήγορη μετατροπή λ
χιονοστιβάδα λ πλήρως που εκτιμάται
ευκολία λ
απλές απαιτήσεις Drive λ
λ αμόλυβδο
Συσκευασία

