Αμόλυβδη Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, Mosfet υψηλής ταχύτητας 200V 18A κρυσταλλολυχνία IRF640NPBF
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
IRF640NPBF ΕΜΒΥΘΙΣΗ δια MOSFET μετατροπής καναλιών 200V 18A Ν την κρυσταλλολυχνία δύναμης
Περιγραφή
Πέμπτο MOSFET s δύναμης ® παραγωγής HEXFET από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία.
Το Δ2Pakείναιμιαεπιφάνειατοποθετείτησυσκευασίαδύναμηςικανήταμεγέθηκύβωνμέχριδεκαεξαδικό-4. Παρέχειτηνικανότηταυψηλότερηςδύναμηςκαιχαμηλότεροςοπιθανόςστηναντίστασησεοποιαδήποτευπάρχουσαεπιφάνειατοποθετείτησυσκευασία. ΤοΔ2Pakείναικατάλληλογιατιςυψηλής τάσηςεφαρμογέςλόγωτηςχαμηλήςεσωτερικήςαντίστασηςσύνδεσήςτουκαιμπορείνα διαλύσειμέχρι2.0Wσε μιαχαρακτηριστικήεπιφάνειατοποθετείτηνεφαρμογή.
Η έκδοση μέσω-τρυπών (IRF640NL) είναι διαθέσιμη για την εφαρμογή μικρής ακτινοβολίας.
Χαρακτηριστικό γνώρισμα
προηγμένη λ τεχνολογική διαδικασία
δυναμική dv/dt εκτίμηση λ
λ 175°C που λειτουργεί το emperature Τ
γρήγορη μετατροπή λ
χιονοστιβάδα λ πλήρως που εκτιμάται
ευκολία λ
απλές απαιτήσεις Drive λ
λ αμόλυβδο
Συσκευασία

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
