Mosfet τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών IR2110PBF IGBT μισή 14-ΕΜΒΎΘΙΣΗ ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών πυλών γεφυρών κρυσταλλολυχνιών δύναμης
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
IR2110PBF δύναμης MOSFET και IGBT 14-ΕΜΒΎΘΙΣΗ ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών πυλών μισό-γεφυρών τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών
Περιγραφή
Το IR2110/IR2113 είναι υψηλή τάση, MOSFET δύναμης υψηλής ταχύτητας και IGBT οδηγοί με τα ανεξάρτητα υψηλά και χαμηλά παραπεμφθε'ντα πλευρά κανάλια παραγωγής. Οι ιδιόκτητες άνοσες CMOS τεχνολογίες HVIC και συρτών επιτρέπουν τη δυναμωμένη μονολιθική κατασκευή. Οι εισαγωγές λογικής είναι συμβατές με την τυποποιημένη παραγωγή CMOS ή LSTTL, κάτω από στη λογική 3.3V. Οι οδηγοί παραγωγής χαρακτηρίζουν ένα υψηλό στάδιο απομονωτών σφυγμού τρέχον που σχεδιάζεται για την ελάχιστη διαγώνιος-διεξαγωγή οδηγών. Οι καθυστερήσεις διάδοσης αντιστοιχούνται για να απλοποιήσουν τη χρήση στις εφαρμογές υψηλής συχνότητας. Το επιπλέον κανάλι μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να οδηγήσει N-channel MOSFET ή ένα IGBT δύναμης στην υψηλή δευτερεύουσα διαμόρφωση που λειτουργεί μέχρι 500 ή 600 βολτ.
Χαρακτηριστικό γνώρισμα:
• Επιπλέον κανάλι που σχεδιάζεται για τη λειτουργία δολωμάτων πλήρως - λειτουργική σε +500V ή +600V ανεκτικό στην αρνητική παροδική τάση dV/dt άνοση
• Σειρά ανεφοδιασμού κίνησης πυλών από 10 σε 20V
• Ανταπεργία Undervoltage και για τα δύο κανάλια
• 3.3V συμβατή χωριστή σειρά ανεφοδιασμού λογικής λογικής από 3.3V στο επίγειο ±5V όφσετ λογικής και δύναμης 20V
• Schmitt-προκαλούμενες CMOS εισαγωγές με pull-down
• Κύκλος από τον κύκλο άκρη-προκαλούμενη λογική κλεισίματος
• Αντιστοιχημένη καθυστέρηση διάδοσης και για τα δύο κανάλια
• Αποτελέσματα στη φάση με τις εισαγωγές
Στοιχείο σειράς:
VOFFSET (IR2110) μέγιστο 500V.
(IR2113) μέγιστο 600V.
ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ ΔΙΑΤΑΓΗΣ
διαταγή IR2110PbF 14-μολύβδου PDIP IR2110
διαταγή IR2113PbF 14-μολύβδου PDIP IR2113
διαταγή IR2110SPbF 16-μολύβδου SOIC IR2110S
διαταγή IR2113SPbF 16-μολύβδου SOIC IR2113S
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485