Τσιπ sop-54 64 Mbit 143 MHZ ISSI IS42S16400J-7TLI αστραπιαίας σκέψης DRAM για τα όργανα ελέγχου LCD
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Το ολοκληρωμένο κύκλωμα 64Mbit μνήμης SDRAM παραλληλίζει 143 MHZ 5,4 NS 54-TSOP ΙΙ
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, PayPal
Προδιαγραφές
Σειρά:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα
Τάση:
3.3V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα:
Τσιπ μνήμης DRAM
Εφαρμογή:
Όργανα ελέγχου LCD, TV επίπεδης οθόνης, εκτυπωτές, ΠΣΤ, MP3
Συσκευασία:
Soic-54
Συχνότητα ρολογιών:
143 MHZ
Κυριώτερο σημείο:
IS42S16400J
,IS42S1
,IS42S16400J-7TLI
Εισαγωγή
IS42S16400J-7TLI τσιπ μνήμης sop-54 64 Mbit 143 DRAM εμπορικό σήμα MHZ ISSI
ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΕΣ
64Mb σύγχρονο DRAM ISSI οργανώνεται ως 1.048.576 μπιτ Χ τη δεκαεξάμπιτη τράπεζα Χ 4 για τη βελτιωμένη απόδοση. Τα σύγχρονα DRAM επιτυγχάνουν τη μεγάλη μεταφορά δεδομένων χρησιμοποιώντας την αρχιτεκτονική σωληνώσεων. Όλα τα σήματα εισαγωγών και αποτελεσμάτων αναφέρονται στην αυξανόμενη άκρη της εισαγωγής ρολογιών.
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Συχνότητα ρολογιών: 200, 166, 143, 133 MHZ
• Πλήρως σύγχρονος όλα τα σήματα που παραπέμπονται σε μια θετική άκρη ρολογιών
• Εσωτερική τράπεζα για το κρύψιμο της πρόσβασης/precharge σειρών
• Ενιαία παροχή ηλεκτρικού ρεύματος 3.3V
• Διεπαφή LVTTL
• Προγραμματίσημο μήκος έκρηξης
– (1, 2, 4, 8, πλήρης σελίδα)
• Προγραμματίσημη ακολουθία έκρηξης: Διαδοχικός/παρεμβάλτε λευκές σελίδες
• Μόνος αναζωογονήστε τους τρόπους
• Το αυτοκίνητο αναζωογονεί (CBR)
• 4096 κύκλοι ανανέωσης κάθε κα 64 (βαθμός COM, IND, Α1) ή 16ms (βαθμός A2)
• Η τυχαία στήλη εξετάζει κάθε κύκλο ρολογιών
• Προγραμματίσημη λανθάνουσα κατάσταση CAS (2, 3 ρολόγια)
• Η έκρηξη ανάγνωσης-γραφής και η έκρηξη που διαβάζεται/ενιαία γράφουν την ικανότητα διαδικασιών
• Λήξη έκρηξης από τη στάση έκρηξης και precharge την εντολή
Επισκόπηση
Το 64Mb SDRAM είναι μια υψηλή ταχύτητα CMOS, δυναμική μνήμη τυχαίας προσπέλασης με σκοπό να λειτουργήσει στα συστήματα μνήμης 3.3V που περιέχουν 67.108.864 μπιτ. Εσωτερικά διαμορφωμένος ως τετράγωνο-τράπεζα DRAM με μια σύγχρονη διεπαφή. Κάθε τράπεζα 16.777.216 μπιτ οργανώνεται ως 4.096 σειρές από 256 στήλες από 16 μπιτ. Το 64Mb SDRAM περιλαμβάνει ένα ΑΥΤΟΚΊΝΗΤΟ ΑΝΑΖΩΟΓΟΝΕΊ τον ΤΡΌΠΟ, και μια δύναμη-αποταμίευση, δύναμη-κατεβάζει τον τρόπο. Όλα τα σήματα καταχωρούνται στη θετική άκρη του σήματος ρολογιών, CLK. Όλα οι εισαγωγές και τα αποτελέσματα είναι συμβατό σύστημα LVTTL. Το 64Mb SDRAM έχει τη δυνατότητα στα συγχρόνως στοιχεία σε ένα υψηλό ποσοστό στοιχείων με την αυτόματη παραγωγή στήλη-διευθύνσεων, η δυνατότητα να παρεμβάλει λευκές σελίδες μεταξύ των εσωτερικών τραπεζών για να κρύψει precharge το χρόνο και την ικανότητα να αλλαχτούν τυχαία οι διευθύνσεις στηλών σε κάθε κύκλο ρολογιών κατά τη διάρκεια της πρόσβασης έκρηξης. Precharge σειρών που αρχίζει μόνος-χρονομετρημένο του sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction έκρηξης που επιτρέπεται στο τέλος. Precharge ένα τράπεζα έχοντας πρόσβαση ένας από τις άλλες τρεις τράπεζες θα κρύψει τους precharge κύκλους και θα παράσχει άνευ ραφής, μεγάλη ταχύτητα, λειτουργία τυχαίας προσπέλασης. SDRAM διάβασε και γράφει ότι οι προσβάσεις είναι προσανατολισμένη έναρξη σε μια επιλεγμένη θέση και συνέχιση για έναν προγραμματισμένο αριθμό θέσεων σε μια προγραμματισμένη ακολουθία. Η εγγραφή μιας ΕΝΕΡΓΟΥ εντολής αρχίζει τις προσβάσεις, που ακολουθούνται από ΔΙΑΒΑΣΜΕΝΗ ή ΓΡΑΦΕΙ την εντολή. Η ΕΝΕΡΓΟΣ εντολή από κοινού με τα κομμάτια διευθύνσεων που καταχωρούνται χρησιμοποιείται για να επιλέξει την τράπεζα και τη σειρά που προσεγγίζονται (BA0, BA1 επιλέγει την τράπεζα A0-A11 επιλέγει τη σειρά). ΔΙΑΒΑΣΜΕΝΗ ή ΓΡΑΦΕΙ ότι οι εντολές από κοινού με τα κομμάτια διευθύνσεων που καταχωρούνται χρησιμοποιούνται για να επιλέξουν την αρχική θέση στηλών για την πρόσβαση έκρηξης. Προγραμματίσημη ΔΙΑΒΑΣΜΕΝΗ ή ΓΡΑΦΕΙ τα μήκη ότι έκρηξης αποτελούνται από 1, 2, 4 και 8 θέσεις, ή η πλήρης σελίδα, με μια έκρηξη ολοκληρώνει την επιλογή.
IS42S16400J-7TLI
IS42S16400F-7TLI
IS42S16100E-7TLI
IS42S16800F-7TLI
IS42S16160J-6BLI
IS42S16320B-7TL
IS42S32200L-7BLI
IS42S32400D-6BL
IS42S32800D-7TLI
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs