Si7139dp-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Si7139dp-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
-
MOSFET δύναμης TrenchFET®
-
100% Rg και UIS δοκιμασμένα
• Υλική κατηγοριοποίηση:
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
• Φορητός υπολογιστής
- Διακόπτης προσαρμοστών
- Διακόπτης μπαταριών
- Διακόπτης φορτίων
ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ |
|||
VDS (β) |
RDS (επάνω) () |
Ταυτότητα (α) |
Qg (ΤΥΠΟΣ.) |
-30 |
0,0055 VGS = -10 Β |
-40 δ |
49.5 nC |
0,0090 VGS = -4,5 Β |
-40 δ |
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (TA = 25 °C, εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά) |
||||
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ |
ΣΥΜΒΟΛΟ |
ΟΡΙΟ |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
Τάση αγωγός-πηγής |
VDS |
-30 |
Β |
|
Τάση πύλη-πηγής |
VGS |
± 20 |
||
Συνεχές ρεύμα αγωγών (TJ = 150 °C) |
TC =25°C |
Ταυτότητα |
-40 δ |
Α |
TC =70°C |
-40 δ |
|||
TA =25°C |
-22.4 α, β |
|||
TA =70°C |
-17.9 α, β |
|||
Παλόμενο ρεύμα αγωγών |
IDM |
-70 |
||
Συνεχές ρεύμα διόδων πηγή-αγωγών |
TC =25°C |
ΕΙΝΑΙ |
-40 δ |
|
TA =25°C |
-4.5 α, β |
|||
Ρεύμα χιονοστιβάδων |
Λ = 0,1 mH |
IAS |
30 |
|
Μονοπαλμική ενέργεια χιονοστιβάδων |
EAS |
45 |
MJ |
|
Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης |
TC =25°C |
PD |
48 |
W |
TC =70°C |
30 |
|||
TA =25°C |
5 α, β |
|||
TA =70°C |
3.2 α, β |
|||
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
TJ, Tstg |
-55 έως 150 |
°C |
|
Συστάσεις συγκόλλησης (μέγιστη θερμοκρασία) ε, φ |
260 |
ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ |
|||||
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ |
ΣΥΜΒΟΛΟ |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΣ |
ΜΕΓΙΣΤΟΣ |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
Μέγιστο σύνδεση--περιβαλλοντικό α, γ |
τ 10 s |
RthJA |
20 |
25 |
°C/W |
Μέγιστη σύνδεση--περίπτωση |
Σταθερό κράτος |
RthJC |
2.1 |
2.6 |

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
