Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Si7139dp-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Si7139dp-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Βάρος μονάδων:
0,017870 oz
Μέρος # ψευδώνυμα:
SI7139DP-GE3
Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης:
17 NS
Χαρακτηριστικός χρόνος καθυστέρησης διακοπών:
56 NS
Υποκατηγορία:
MOSFETs
Χρόνος ανόδου:
12 ns
Κυριώτερο σημείο:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Εισαγωγή

Si7139dp-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

  • MOSFET δύναμης TrenchFET®

  • 100% Rg και UIS δοκιμασμένα

• Υλική κατηγοριοποίηση:

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

• Φορητός υπολογιστής

- Διακόπτης προσαρμοστών
- Διακόπτης μπαταριών
- Διακόπτης φορτίων

ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

VDS (β)

RDS (επάνω) ()

Ταυτότητα (α)

Qg (ΤΥΠΟΣ.)

-30

0,0055 VGS = -10 Β

-40 δ

49.5 nC

0,0090 VGS = -4,5 Β

-40 δ

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (TA = 25 °C, εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ

ΣΥΜΒΟΛΟ

ΟΡΙΟ

ΜΟΝΑΔΑ

Τάση αγωγός-πηγής

VDS

-30

Β

Τάση πύλη-πηγής

VGS

± 20

Συνεχές ρεύμα αγωγών (TJ = 150 °C)

TC =25°C

Ταυτότητα

-40 δ

Α

TC =70°C

-40 δ

TA =25°C

-22.4 α, β

TA =70°C

-17.9 α, β

Παλόμενο ρεύμα αγωγών

IDM

-70

Συνεχές ρεύμα διόδων πηγή-αγωγών

TC =25°C

ΕΙΝΑΙ

-40 δ

TA =25°C

-4.5 α, β

Ρεύμα χιονοστιβάδων

Λ = 0,1 mH

IAS

30

Μονοπαλμική ενέργεια χιονοστιβάδων

EAS

45

MJ

Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης

TC =25°C

PD

48

W

TC =70°C

30

TA =25°C

5 α, β

TA =70°C

3.2 α, β

Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης

TJ, Tstg

-55 έως 150

°C

Συστάσεις συγκόλλησης (μέγιστη θερμοκρασία) ε, φ

260

ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ

ΣΥΜΒΟΛΟ

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΣ

ΜΕΓΙΣΤΟΣ

ΜΟΝΑΔΑ

Μέγιστο σύνδεση--περιβαλλοντικό α, γ

τ  10 s

RthJA

20

25

°C/W

Μέγιστη σύνδεση--περίπτωση

Σταθερό κράτος

RthJC

2.1

2.6

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us