Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Si4425ddy-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Si4425ddy-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
P-Channel 30 Β 19.7A (TC) 2.5W (TA), επιφάνεια 5.7W (TC) τοποθετεί 8-SOIC
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Κατασκευαστής:
VISHAY
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Τεχνολογία:
Si
Τοποθετώντας ύφος:
SMD/SMT
Συσκευασία/περίπτωση:
Έτσι-8
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Κυριώτερο σημείο:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Εισαγωγή

Si4425ddy-T1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs έτσι-8 κρυσταλλολυχνιών δύναμης

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

  • Αλόγονο-ελεύθερος σύμφωνα με τον ορισμό IEC 61249-2-21
  • MOSFET δύναμης TrenchFET®

  • 100% Rg δοκιμασμένο

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

•Διακόπτες φορτίων

- PC σημειωματάριων

- Προσωπικοί υπολογιστές γραφείου

ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

VDS (β)

RDS (επάνω) (Ω)

Ταυτότητα (Α) α

Qg (τύπος.)

- 30

0,0098 VGS = 10 Β

- 19.7

nC 27

0,0165 VGS = 4,5 Β

- 15.2

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ TA = 25 °C, εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά

Παράμετρος

Σύμβολο

Όριο

Μονάδα

Τάση αγωγός-πηγής

VDS

- 30

Β

Τάση πύλη-πηγής

VGS

± 20

Συνεχές ρεύμα αγωγών (TJ = 150 °C)

TC =25°C

Ταυτότητα

- 19.7

Α

TC =70°C

- 15.7

TA = 25 °C

- 13b, γ

TA = 70 °C

- 10.4b, γ

Παλόμενο ρεύμα αγωγών

IDM

- 50

Συνεχές ρεύμα διόδων πηγή-αγωγών

TC =25°C

ΕΙΝΑΙ

- 4.7

TA = 25 °C

- 2.1b, γ

Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης

TC =25°C

PD

5.7

W

TC =70°C

3.6

TA = 25 °C

2.5b, γ

TA = 70 °C

1.6b, γ

Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης

TJ, Tstg

- 55 έως 150

°C

ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ

Παράμετρος

Σύμβολο

Χαρακτηριστικός

Μέγιστος

Μονάδα

Μέγιστο σύνδεση--Ambientb, δ

τ ≤ 10 s

RthJA

35

50

°C/W

Μέγιστο σύνδεση--πόδι (αγωγός)

Σταθερό κράτος

RthJF

18

22

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us