LMZ21700SILR Mosfet μη-απομονωμένοι DC/DC μετατροπείς LMZ21700 κρυσταλλολυχνιών δύναμης ΧΩΡΊΣ ΕΠΙΛΟΓΉ OVERMOLD
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
LMZ21700SILR Mosfet μη-απομονωμένοι DC/DC μετατροπείς LMZ21700 κρυσταλλολυχνιών δύναμης ΧΩΡΊΣ ΕΠΙΛΟΓΉ OVERMOLD
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Ενσωματωμένο πηνίο
-
Μικρογραφία 3,5 χιλ. × 3,5 χιλ. × συσκευασία 1,75 χιλ.
-
35-mm2 μέγεθος λύσης (ενιαίος που πλαισιώνεται)
-
– 40°C στη σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων 125°C
-
Διευθετήσιμη τάση παραγωγής
-
Ενσωματωμένη αποζημίωση
-
Διευθετήσιμη λειτουργία μαλακός-έναρξης
-
Ενάρξεις στα προ-Pre-Biased φορτία
-
Το αγαθό δύναμης και επιτρέπει τις καρφίτσες
-
Άνευ ραφής μετάβαση στη δύναμη - εκτός από τον τρόπο
-
Μέχρι ρεύμα παραγωγής 650 μΑ
-
Σειρά 3 Β τάσης εισαγωγής σε 17 Β
-
Σειρά 0,9 Β τάσης παραγωγής σε 6 Β
-
Αποδοτικότητα μέχρι 95%
-
1.5-μA ρεύμα κλεισίματος
-
17-μA ήρεμο ρεύμα
2 εφαρμογές
• Σημείο των μετατροπών φορτίων από την τάση εισαγωγής 3,3-β, 5-β, ή 12-β
• Περιορισμένες διάστημα εφαρμογές • Αντικατάσταση LDO
3 περιγραφή
Η νανο ενότητα LMZ21700 είναι ένα εύχρηστο βήμα - κάτω από τη λύση DC/DC ικανή μέχρι 650 - φορτίο μΑ στις διαστημικός-περιορισμένες εφαρμογές. Μόνο ένας πυκνωτής εισαγωγής, ένας πυκνωτής παραγωγής, πυκνωτής μαλακός-έναρξης, και δύο αντιστάτες απαιτούνται για τη βασική λειτουργία.
Πληροφορίες συσκευών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM) |
|
LMZ21700 |
μSIP (8) |
3,50 χιλ. × 3,50 χιλ. |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485