Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > LMZ10500SILR Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών μη-απομονωμένος DC/DC ανώτατος Inpt μετατροπέων 650mA νανο ΤΡΎΓΟΣ νεαρών δικυκλιστών W 5.5V

LMZ10500SILR Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών μη-απομονωμένος DC/DC ανώτατος Inpt μετατροπέων 650mA νανο ΤΡΎΓΟΣ νεαρών δικυκλιστών W 5.5V

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
ΜΕΤΑΤΡΟΠΈΑΣ 0.6-3.6V 2W ΣΥΝΕΧΟΥΣ συνεχούς ρεύματος
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 40 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 125 Γ
Εμπορικό σήμα:
Texas Instruments
Υγρασία ευαίσθητη:
ΝΑΙ
Τύπος προϊόντων:
Μη-απομονωμένοι μετατροπείς ρεύμα-συνεχές ρεύμα
Υποκατηγορία:
Μετατροπέας DC-DC
Κυριώτερο σημείο:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Εισαγωγή

LMZ10500SILR Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών μη-απομονωμένος DC/DC ανώτατος Inpt μετατροπέων 650mA νανο ΤΡΎΓΟΣ νεαρών δικυκλιστών W 5.5V

1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα

  • Ρεύμα παραγωγής μέχρι 650 μΑ
  • Σειρά 2,7 Β τάσης εισαγωγής σε 5,5 Β

  • Σειρά 0,6 Β τάσης παραγωγής σε 3,6 Β

  • Αποδοτικότητα μέχρι 95%

  • Ενσωματωμένο πηνίο

  • ίχνος 8-καρφιτσών microSiP

  • – 40°C στη σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων 125°C

  • Διευθετήσιμη τάση παραγωγής

  • 2-MHZ σταθερή συχνότητα μετατροπής PWM

  • Ενσωματωμένη αποζημίωση

  • Λειτουργία μαλακός-έναρξης

  • Τρέχουσα προστασία ορίου

  • Θερμική προστασία κλεισίματος

  • Η τάση εισαγωγής UVLO για δύναμη-επάνω, δύναμη-κατεβάζει, και Brownout όροι

  • Μόνο 5 εξωτερικά συστατικά — Διαιρέτης αντιστατών και 3 κεραμικοί πυκνωτές

  • Μικρό μέγεθος λύσης

  • Χαμηλός κυματισμός τάσης παραγωγής

  • Εύκολη συστατική επιλογή και απλό σχεδιάγραμμα PCB

  • Η υψηλή αποδοτικότητα μειώνει την παραγωγή θερμότητας συστημάτων

2 εφαρμογές

• Σημείο των μετατροπών φορτίων από τις ράγες 3,3-β και 5-β

• Περιορισμένες διάστημα εφαρμογές • Χαμηλές εφαρμογές θορύβου παραγωγής

3 περιγραφή

Η νανο ενότητα LMZ10500 είναι ένα εύχρηστο βήμα - κάτω από τη λύση DC/DC ικανή μέχρι το φορτίο 650 μΑ στις διαστημικός-περιορισμένες εφαρμογές. Μόνο ένας πυκνωτής εισαγωγής, ένας πυκνωτής παραγωγής, μικρός πυκνωτής φίλτρων VCON, και δύο αντιστάτες απαιτούνται για τη βασική λειτουργία. Η νανο ενότητα έρχεται σε μια συσκευασία ίχνους 8 καρφιτσών μSiP με ένα ενσωματωμένο πηνίο. Η εσωτερική τρέχουσα βασισμένη στο όριο λειτουργία μαλακός-έναρξης, η τρέχουσα προστασία υπερφόρτωσης, και το θερμικό κλείσιμο παρέχονται επίσης.

Πληροφορίες συσκευών

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ

ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ

ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM)

LMZ10500

μSiP (8)

3,00 χιλ. × 2,60 χιλ.

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us