CSD17575Q3 Mosfet MOSFET κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET 30V, N-channel MOSFET NexFET Pwr
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD17575Q3 Mosfet MOSFET κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET 30V, N-channel MOSFET NexFET Pwr
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλό RDS (επάνω)
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Ελεύθερη τελική επένδυση PB
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Σημείο του σύγχρονου μετατροπέα Buck φορτίων για τις εφαρμογές στη δικτύωση, τις τηλεπικοινωνίες, και τα συστήματα υπολογισμού
-
Βελτιστοποιημένος για τις σύγχρονες εφαρμογές FET
3 περιγραφή
Αυτό το 1,9 mΩ, 30 Β, MOSFET δύναμης ΓΙΩΝ 3×3 NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Περίληψη προϊόντων
| TA = 25°C | ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ | ΜΟΝΑΔΑ | ||
| VDS | Τάση αγωγός--πηγής | 30 | Β | |
| Qg | Σύνολο δαπανών πυλών (4.5V) | 23 | nC | |
| Qgd | Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών | 5.4 | nC | |
| RDS (επάνω) | Αγωγός--πηγή στην αντίσταση | VGS = 4,5 Β | 2.6 | mΩ |
| VGS =10V | 1.9 | |||
| Vth | Τάση κατώτατων ορίων | 1.4 |
Β |
|
Διαταγή των πληροφοριών
|
Συσκευή |
MEDIA |
Qty |
Συσκευασία |
Σκάφος |
|
CSD17575Q3 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
2500 |
ΓΙΟΣ 3,3 × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
|
CSD17575Q3T |
13-ίντσα εξέλικτρο |
250 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (όριο συσκευασίας) |
60 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (όριο πυριτίου), TC = 25°C |
182 |
||
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
27 |
||
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (2) |
240 |
Α |
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.8 |
W |
|
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
108 |
||
|
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =48, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
115 |
MJ |

