CSD17556Q5B Mosfet MOSFET 30V ν-CH NexFET κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFETs δύναμης
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD17556Q5B Mosfet MOSFET 30V ν-CH NexFET κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFETs δύναμης
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Εξαιρετικά - χαμηλή αντίσταση
-
Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλός-θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Αμόλυβδη τελική επένδυση
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Σημείο του φορτίου σύγχρονο Buck στη δικτύωση, τις τηλεπικοινωνίες, και τα συστήματα υπολογισμού
-
Σύγχρονη διόρθωση
-
Ενεργές ORing και Hotswap εφαρμογές
3 περιγραφή
Αυτό το 30-β, 1,2 mΩ, 5 MOSFET δύναμης χιλ. × 6 χιλ. NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στη σύγχρονη διόρθωση και άλλες εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Περίληψη προϊόντων
|
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
30 |
nC |
|
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
7.5 |
nC |
|
|
RDS (επάνω) |
-αντίσταση αγωγός--πηγής |
VGS = 4,5 Β |
1.5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
1.2 |
|||
|
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.4 |
Β |
|
Πληροφορίες συσκευών
|
ΣΥΣΚΕΥΗ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
|
CSD17556Q5B |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 5,00 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6,00 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
|
CSD17556Q5BT |
250 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
100 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
215 |
||
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
34 |
||
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (1) (2) |
400 |
Α |
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
3.1 |
W |
|
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
191 |
||
|
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σύνδεση, θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =100A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
500 |
MJ |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485