CSD17313Q2 Mosfet MOSFET 30V Ν κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET δύναμης NexFET καναλιών
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD17313Q2 Mosfet MOSFET 30V Ν κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET δύναμης NexFET καναλιών
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Βελτιστοποιημένος για το Drive πυλών 5-β
-
Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
PB-ελεύθερος
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο-ελεύθερος
-
ΓΙΟΣ 2 χιλ. × πλαστική συσκευασία 2 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπείς
-
Διοικητικές εφαρμογές μπαταριών και φορτίων
3 περιγραφή
Αυτό το 30-β, 24 mΩ, 2 MOSFET δύναμης NexFETTM ΓΙΩΝ χιλ. Χ 2 χιλ. έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης και βελτιστοποιείται για τις εφαρμογές κίνησης πυλών 5-β. Τα 2 χιλ. × ΓΙΟΣ 2 χιλ. προσφέρουν την άριστη θερμική απόδοση για το μέγεθος της συσκευασίας.
Περίληψη προϊόντων
(1) για όλες τις διαθέσιμες συσκευασίες, δείτε τη orderable προσθήκη στο τέλος του φύλλου στοιχείων.
|
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
2.1 |
nC |
|
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
0,4 |
nC |
|
|
RDS (επάνω) |
Αγωγός--πηγή στην αντίσταση |
VGS = 3 Β |
31 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 Β |
26 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 Β |
24 |
mΩ |
||
|
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.3 |
Β |
|
Διαταγή των πληροφοριών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
|
CSD17313Q2 |
3000 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 2 χιλ. × πλαστική συσκευασία 2 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
|
CSD17313Q2T |
250 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
+10/– 8 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
5 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
19 |
||
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
7.3 |
||
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
57 |
Α |
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.4 |
W |
|
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
17 |
||
|
TJ, TSTG |
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαίος σφυγμός, ταυτότητα =19A, L=0.1mH, RG =25Ω |
18 |
MJ |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485