CSD16556Q5B Mosfet MOSFET 25V NexFET Ν CH Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MosFET
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD16556Q5B Mosfet MOSFET 25V NexFET Ν CH Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MosFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Εξαιρετικά - χαμηλή αντίσταση
Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
Χαμηλή θερμική αντίσταση
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
Ελεύθερη τελική επένδυση PB
RoHS υποχωρητικό
Αλόγονο ελεύθερο
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ.
2 εφαρμογές
Σημείο--φορτίο σύγχρονο Buck στη δικτύωση, τις τηλεπικοινωνίες, και τα συστήματα υπολογισμού
Βελτιστοποιημένος για τις σύγχρονες εφαρμογές FET
3 περιγραφή
Αυτό το 25 Β, 0,9 mΩ, 5 × MOSFET δύναμης NexFETTM ΓΙΩΝ 6 χιλ. έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στη σύγχρονη διόρθωση και άλλες εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C | ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ | ΜΟΝΑΔΑ | ||
VDS | Τάση αγωγός--πηγής | 25 | Β | |
Qg | Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) | 36 | nC | |
Qgd | Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών | 12 | nC | |
RDS (επάνω) | -αντίσταση αγωγός--πηγής | VGS = 4,5 Β | 1.2 | mΩ |
VGS =10V | 0,9 | mΩ | ||
VGS (θόριο) | Τάση κατώτατων ορίων | 1.4 | Β | |
Συσκευή | MEDIA | Qty | Συσκευασία | Σκάφος |
CSD16556Q5B | 13-ίντσα εξέλικτρο | 2500 | ΓΙΟΣ πλαστική συσκευασία 5 X 6 χιλ. | Ταινία και εξέλικτρο |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485