CSD13202Q2 Mosfet MOSFET ν-CH ρολογιών κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET 12V 9.3mohm δύναμης
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD13202Q2 Mosfet MOSFET ν-CH ρολογιών κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET 12V 9.3mohm δύναμης
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Αμόλυβδη τελική επένδυση
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 2 χιλ. × πλαστική συσκευασία 2 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Βελτιστοποιημένος για τις εφαρμογές διακοπτών φορτίων
-
Αποθήκευση, ταμπλέτες, και φορητές συσκευές
-
Βελτιστοποιημένος για τις εφαρμογές FET ελέγχου
-
Σημείο των σύγχρονων μετατροπέων Buck φορτίων
3 περιγραφή
Αυτό το 12-β, MOSFET δύναμης 7,5 mΩ NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης και διαχείρισης φορτίων. Ο ΓΙΟΣ 2 × 2 προσφέρει την άριστη θερμική απόδοση για το μέγεθος της συσκευασίας.
Περίληψη προϊόντων
|
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ VAUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
12 |
Β |
|
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
5.1 |
nC |
|
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
0,76 |
nC |
|
|
RDS (επάνω) |
-αντίσταση αγωγός--πηγής |
VGS = 2,5 Β |
9.1 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 Β |
7.5 |
|||
|
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
0,8 |
Β |
|
Πληροφορίες συσκευών
|
ΣΥΣΚΕΥΗ |
MEDIA |
QTY |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
|
CSD13202Q2 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
3000 |
ΓΙΟΣ 2,00 χιλ. × πλαστική συσκευασία 2,00 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
12 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±8 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (όριο συσκευασίας) |
22 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
14.4 |
||
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
76 |
Α |
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.7 |
W |
|
TJ, TSTG |
Λειτουργούσα σύνδεση, θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =20A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
20 |
MJ |