Mosfet CSD17308Q3 CSD17308Q3T υπερβολικά χαμηλή Qg χαμηλή θερμική αντίσταση NCh NexFET Pwr κυκλωμάτων οδηγών μηχανών
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Mosfet CSD17308Q3 CSD17308Q3T MOSFET 30V NCh NexFET Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Βελτιστοποιημένος για το Drive πυλών 5-β
-
Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Ελεύθερη τελική επένδυση PB
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
VSON 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Σημείο σημειωματάριων του φορτίου
-
Σημείο--φορτίο σύγχρονο Buck στη δικτύωση, τις τηλεπικοινωνίες, και τα συστήματα υπολογισμού
3 περιγραφή
Αυτό το 30-β, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET δύναμης χιλ. × 3,3 χιλ. VSON NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης και βελτιστοποιείται για τις εφαρμογές κίνησης πυλών 5-β.
Περίληψη προϊόντων
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
3.9 |
nC |
|
Qgd |
Πύλη δαπανών πυλών που στραγγίζει |
0,8 |
nC |
|
RDS (επάνω) |
Αγωγός--πηγή στην αντίσταση |
VGS = 3 Β |
12.5 |
mΩ |
VGS = 4,5 Β |
9.4 |
mΩ |
||
VGS = 8 Β |
8.2 |
mΩ |
||
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.3 |
Β |
Διαταγή των πληροφοριών
ΣΥΣΚΕΥΗ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
CSD17308Q3 |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
+10/– 8 |
Β |
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
50 |
Α |
Συνεχές ρεύμα αγωγών, TC = 25°C |
44 |
||
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
14 |
||
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
167 |
Α |
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.7 |
W |
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
28 |
||
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =36A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
65 |
MJ |