STP110N8F6 Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης 110 Α, MOSFET δύναμης STripFET F6 σε μια συσκευασία -220
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
STP110N8F6 Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης 110 Α, MOSFET δύναμης STripFET F6 σε μια συσκευασία -220
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
Κώδικας διαταγής |
VDS |
RDS (επάνω) ανώτατο |
Ταυτότητα |
PTOT |
STP110N8F6 |
80 Β |
0,0065 Ω |
110 Α |
200 W |
-
Πολύ χαμηλή -αντίσταση
-
Πολύ χαμηλή δαπάνη πυλών
-
Υψηλή τραχύτητα χιονοστιβάδων
-
Χαμηλή απώλεια δύναμης κίνησης πυλών
Εφαρμογές
• Εφαρμογές μετατροπής
Περιγραφή
Αυτή η συσκευή είναι N-channel MOSFET δύναμης που αναπτύσσεται που χρησιμοποιεί την τεχνολογία STripFETTM F6 με μια νέα δομή πυλών τάφρων. Προκύπτον MOSFET δύναμης εκθέτει το πολύ χαμηλό RDS (επάνω) σε όλες τις συσκευασίες.

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
