STP55NF06 Mosfet MOSFET ν-CH 60 βολτ 55 Amp κρυσταλλολυχνιών δύναμης
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
STP55NF06 Mosfet MOSFET ν-CH 60 βολτ 55 Amp κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
Κώδικας διαταγής | VDSS | Μέγιστο RDS (επάνω). | Ταυτότητα |
STB55NF06 | 60 Β | < 0=""> | 50 Α |
STP55NF06 | |||
STP55NF06FP |
1. Αναφερθείτε στο soa για την ανώτατη επιτρεπόμενη τρέχουσα αξία στον FP-τύπο λόγω της αξίας Rth
- 100% χιονοστιβάδα δοκιμασμένη
- Εξαιρετική ικανότητα dv/dt
Εφαρμογές
- Εφαρμογή μετατροπής
Περιγραφή
Αυτά τα MOSFETs δύναμης έχουν αναπτυχθεί χρησιμοποιώντας τη μοναδική διαδικασία STripFET STMicroelectronics, η οποία έχει ως σκοπό συγκεκριμένα να ελαχιστοποιήσει την ικανότητα εισαγωγής και τη δαπάνη πυλών. Αυτό καθιστά τις συσκευές κατάλληλες για τη χρήση ως αρχική μετάβαση στους προηγμένους υψηλής απόδοσης απομονωμένους μετατροπείς ΣΥΝΕΧΟΥΣ συνεχούς ρεύματος για τις τηλεπικοινωνίες και τις εφαρμογές υπολογιστών, και οι εφαρμογές με τη χαμηλή πύλη χρεώνουν τις οδηγώντας απαιτήσεις.

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
