CSD17578Q3A να τοποθετήσει Mosfet ύφους την κρυσταλλολυχνία δύναμης 30 Β 8-VSONP
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD17578Q3A Mosfet MOSFET CSD17578Q3A 30 Β 8-VSONP κρυσταλλολυχνιών δύναμης
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλό RDS (επάνω)
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
PB-ελεύθερος
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Σύγχρονος μετατροπέας Buck σημείο--φορτίων για τις εφαρμογές στη δικτύωση, τις τηλεπικοινωνίες, και τα συστήματα υπολογισμού
-
Βελτιστοποιημένος για τις εφαρμογές FET ελέγχου
3 περιγραφή
Αυτό το 30 Β, 6,3 mΩ, ΓΙΟΣ 3,3 MOSFET δύναμης χιλ. × 3,3 χιλ. NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Περίληψη προϊόντων
TA = 25°C | ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ | ΜΟΝΑΔΑ | ||
VDS | Τάση αγωγός--πηγής | 30 | Β | |
Qg | Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) | 7.9 | nC | |
Qgd | Πύλη δαπανών πυλών που στραγγίζει | 1.7 | nC | |
RDS (επάνω) | -αντίσταση αγωγός--πηγής | VGS = 4,5 Β | 8.2 | mΩ |
VGS =10V | 6.3 | mΩ | ||
VGS (θόριο) | Τάση κατώτατων ορίων | 1.5 | Β |
Διαταγή των πληροφοριών
ΣΥΣΚΕΥΗ |
MEDIA |
QTY |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
CSD17578Q3A |
13-ίντσα εξέλικτρο |
2500 |
ΓΙΟΣ πλαστική συσκευασία 3,3 X 3,3 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
CSD17578Q3AT |
7-ίντσα εξέλικτρο |
250 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
30 |
Β |
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
20 |
Α |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
54 |
||
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
14 |
||
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (2) |
142 |
Α |
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.5 |
W |
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
37 |
||
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων, θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =22A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
24 |
MJ |