FDMS6681Z Mosfet καναλιών Π κύκλωμα οδηγών, κρυσταλλολυχνία PowerTrench μετατροπής δύναμης
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
FDMS6681Z Mosfet MOSFET -30V κρυσταλλολυχνιών δύναμης P-Channel PowerTrench
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Ανώτατο RDS (επάνω) = 3,2 mΩ VGS = -10 Β, ταυτότητα = -21,1 Α
- MaxrDS (επάνω) =5.0mΩatVGS =-4.5V, ταυτότητα =-15.7A
-
Προηγμένος συνδυασμός συσκευασίας και πυριτίου για το χαμηλό RDS (επάνω)
-
Επίπεδο προστασίας HBM ESD του 8kV χαρακτηριστικού (σημείωση 3)
-
MSL1 γερό σχέδιο συσκευασίας
-
RoHS υποχωρητικό
Γενική περιγραφή
Το FDMS6681Z έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές διακοπτών φορτίων. Οι πρόοδοι και στις τεχνολογίες πυριτίου και συσκευασίας έχουν συνδυαστεί για προστασία να προσφέρουν τη χαμηλότερη του RDS (επάνω) και ESD.
Εφαρμογές
- Μετάβαση φορτίων στο σημειωματάριο και τον κεντρικό υπολογιστή
- Διαχείριση δύναμης πακέτων μπαταριών σημειωματάριων

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
