FDT3612 Mosfet υψηλής τάσης ενιαία διαμόρφωση NCh PowerTrench κρυσταλλολυχνιών δύναμης
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
FDT3612 Mosfet MOSFET 100V NCh PowerTrench κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Γενική περιγραφή
Αυτό το N-Channel MOSFET έχει σχεδιαστεί συγκεκριμένα για να βελτιώσει τη γενική αποδοτικότητα των μετατροπέων DC/DC χρησιμοποιώντας είτε τους σύγχρονους είτε συμβατικούς ελεγκτές μετατροπής PWM.
Αυτά τα MOSFETs χαρακτηρίζουν τη γρηγορότερη μετατροπή και τη χαμηλότερη δαπάνη πυλών από άλλα MOSFETs με τις συγκρίσιμες προδιαγραφές RDS (ΕΠΆΝΩ). Το αποτέλεσμα είναι MOSFET που είναι εύκολο και ασφαλέστερο να οδηγηθεί (ακόμη και στις πολύ υψηλές συχνότητες), και σχέδια παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DC/DC με την υψηλότερη γενική αποδοτικότητα.
Εφαρμογές
• DC/DCconverter
• Motordriving
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- 3.7A, 100V. RDS (ΕΠΆΝΩ) =120MΩ@VGS =10V RDS (ΕΠΆΝΩ) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ)
- Η υψηλή δύναμη και η τρέχουσα διαχειριζόμενη ικανότητα σε μια ευρέως χρησιμοποιημένη επιφάνεια τοποθετούν τη συσκευασία

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
