Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > FDT3612 Mosfet υψηλής τάσης ενιαία διαμόρφωση NCh PowerTrench κρυσταλλολυχνιών δύναμης

FDT3612 Mosfet υψηλής τάσης ενιαία διαμόρφωση NCh PowerTrench κρυσταλλολυχνιών δύναμης

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
N-Channel 100 υποστήριγμα μέθυσος-223-4 επιφάνειας Β 3.7A (TA) 3W (TA)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Βάρος μονάδων:
0,003951 oz
Τύπος προϊόντων:
MOSFET
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 150 Γ
Διαμόρφωση:
Ενιαίος
Τρόπος καναλιών:
Αύξηση
Κυριώτερο σημείο:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Εισαγωγή

FDT3612 Mosfet MOSFET 100V NCh PowerTrench κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Γενική περιγραφή

Αυτό το N-Channel MOSFET έχει σχεδιαστεί συγκεκριμένα για να βελτιώσει τη γενική αποδοτικότητα των μετατροπέων DC/DC χρησιμοποιώντας είτε τους σύγχρονους είτε συμβατικούς ελεγκτές μετατροπής PWM.

Αυτά τα MOSFETs χαρακτηρίζουν τη γρηγορότερη μετατροπή και τη χαμηλότερη δαπάνη πυλών από άλλα MOSFETs με τις συγκρίσιμες προδιαγραφές RDS (ΕΠΆΝΩ). Το αποτέλεσμα είναι MOSFET που είναι εύκολο και ασφαλέστερο να οδηγηθεί (ακόμη και στις πολύ υψηλές συχνότητες), και σχέδια παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DC/DC με την υψηλότερη γενική αποδοτικότητα.

Εφαρμογές

• DC/DCconverter

• Motordriving

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

  • 3.7A, 100V. RDS (ΕΠΆΝΩ) =120MΩ@VGS =10V RDS (ΕΠΆΝΩ) =130MΩ@VGS =6V
  • Fastswitchingspeed
  • Lowgatecharge (14nCtyp)
  • Highperformancetrenchtechnologyforextremely χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ)
  • Η υψηλή δύναμη και η τρέχουσα διαχειριζόμενη ικανότητα σε μια ευρέως χρησιμοποιημένη επιφάνεια τοποθετούν τη συσκευασία

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us