FDS6681Z Mosfet υψηλής δύναμης Π κύκλωμα διακοπτών, Mosfet καναλιών Π κύκλωμα οδηγών
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
FDS6681Z Mosfet MOSFET 30V κρυσταλλολυχνιών δύναμης P-Channel MOSFET PowerTrench
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα γενικής περιγραφής
Αυτό το P-Channel MOSFET παράγεται χρησιμοποιώντας την προηγμένη διαδικασία PowerTrench® του ημιαγωγού θλφαηρθχηλδ που έχει προσαρμοστεί ειδικά για να ελαχιστοποιήσει τη -κρατική αντίσταση.
Αυτή η συσκευή είναι καλοταιριασμένη για τις εφαρμογές διαχείρισης δύναμης και μετατροπής φορτίων κοινές στους φορητούς υπολογιστές και τα φορητά πακέτα μπαταριών.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Εκτεταμένη σειρά VGSS (– 25V) για τις εφαρμογές μπαταριών
• Επίπεδο προστασίας HBM ESD του 8kV χαρακτηριστικού (σημείωση 3) • Τεχνολογία τάφρων υψηλής επίδοσης για εξαιρετικά
χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ)
• Υψηλή δύναμη και τρέχουσα διαχειριζόμενη ικανότητα
• TerminationisLead-FreeandRoHSCompliant

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
