FDMS86181 Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, Mosfet προστατευμένη κύκλωμα πύλη οδηγών μηχανών
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
FDMS86181 Mosfet MOSFET 100V/20V κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET τάφρων δύναμης ν-Chnl
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Προστατευμένη MOSFET πυλών τεχνολογία
- MaxrDS (επάνω) =4.2mΩat VGS =10V, ταυτότητα =44A
- MaxrDS (επάνω) =12mΩat VGS =6V, ταυτότητα =22A
- ΠΡΟΣΘΕΣΤΕ
- 50%
- χαμηλότερο Qrr από άλλους MOSFET προμηθευτές χαμηλώνει τη μετατροπή noise/EMI
- MSL1 γερό σχέδιο συσκευασίας
- 100% UIL δοκιμασμένο
- RoHS υποχωρητικό
Γενική περιγραφή
Αυτό το N-Channel MOSFET των MV παράγεται χρησιμοποιώντας την προηγμένη διαδικασία PowerTrench ® του ημιαγωγού θλφαηρθχηλδ που ενσωματώνει την προστατευμένη τεχνολογία πυλών. Αυτή η διαδικασία έχει βελτιστοποιηθεί για να ελαχιστοποιήσει την -κρατική αντίσταση και όμως διατηρεί την ανώτερη απόδοση μετατροπής με το καλύτερο στη μαλακή δίοδο σωμάτων κατηγορίας.
Εφαρμογές
- Αρχικό MOSFET ρεύμα-συνεχές ρεύμα
- Σύγχρονος διορθωτής στο Drive μηχανών ρεύμα-συνεχές ρεύμα και ρεύμα-συνεχές ρεύμα
- Ηλιακός

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
