Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > FDV301N ψηφιακή Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης ν-CH στον ημιαγωγό 25 Β 0,22 ένας συνεχής

FDV301N ψηφιακή Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης ν-CH στον ημιαγωγό 25 Β 0,22 ένας συνεχής

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
N-Channel 25 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 220mA (TA) 350mW (TA)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Βάρος μονάδων:
0,001093 ουγκιές
Τύπος προϊόντων:
MOSFET
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 150 Γ
Κατασκευαστής:
Στον ημιαγωγό
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Κυριώτερο σημείο:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Εισαγωγή

FDV301N Mosfet MOSFET ν-CH κρυσταλλολυχνιών δύναμης ψηφιακό

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

  • 25 Β, 0,22 Α συνεχές, 0,5 μια αιχμή. RDS (ΕΠΆΝΩ) =5Ω@VGS=2.7V
  • RDS (ΕΠΆΝΩ) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
  • Πολύ χαμηλού επιπέδου άδεια απαιτήσεων κίνησης πυλών άμεση
  • λειτουργία στα κυκλώματα 3V. VGS (θόριο) < 1="">
  • Πύλη-πηγή Zener για την τραχύτητα ESD. >6kV πρότυπο ανθρώπινου σώματος
  • Αντικαταστήστε τις πολλαπλάσιες ψηφιακές κρυσταλλολυχνίες NPN με ένα FET DMOS.

Γενική περιγραφή

Αυτή η N-Channel κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων τρόπου αυξήσεων επιπέδων λογικής παράγεται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη, υψηλή πυκνότητα κυττάρων θλφαηρθχηλδ, τεχνολογία DMOS. Αυτή η πολύ διαδικασία υψηλής πυκνότητας προσαρμόζεται ειδικά για να ελαχιστοποιήσει την -κρατική αντίσταση. Αυτή η συσκευή έχει σχεδιαστεί ειδικά για τις εφαρμογές χαμηλής τάσης ως αντικατάσταση για τις ψηφιακές κρυσταλλολυχνίες. Δεδομένου ότι οι προκατειλημμένοι αντιστάτες δεν απαιτούνται, αυτός N-channel FET μπορεί να αντικαταστήσει διάφορες διαφορετικές ψηφιακές κρυσταλλολυχνίες, με τις διαφορετικές τιμές προκατειλημμένων αντιστατών.

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us