FDMS3662 Mosfet κύκλωμα οδηγών που χρησιμοποιεί N-Channel PowerTrench κρυσταλλολυχνιών 100V
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
FDMS3662 Mosfet MOSFET 100V κρυσταλλολυχνιών δύναμης N-Channel PowerTrench
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Ανώτατο RDS (επάνω) = 14.8mΩ VGS = 10V, ταυτότητα = 8.9A
- Προηγμένος συνδυασμός συσκευασίας και πυριτίου για το χαμηλό RDS (επάνω)
- MSL1 γερό σχέδιο συσκευασίας
- 100% UIL δοκιμασμένο
- RoHS υποχωρητικό
Γενική περιγραφή
Αυτό το N-Channel MOSFET παράγεται χρησιμοποιώντας την προηγμένη διαδικασία τάφρων ® δύναμης του ημιαγωγού θλφαηρθχηλδ που έχει προσαρμοστεί ειδικά για να ελαχιστοποιήσει τη -κρατική αντίσταση και όμως διατηρεί την ανώτερη απόδοση μετατροπής.
Εφαρμογή
- Συνεχές ρεύμα - ΣΥΝΕΧΉΣ μετατροπή

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
