Mosfet δύναμης CSD25402Q3A 650 MV κύκλωμα οδηγών, Mosfet υψηλής δύναμης κρυσταλλολυχνίες
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD25402Q3A Mosfet MOSFET π-CH Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χαμηλό RDS (επάνω)
-
PB και αλόγονο ελεύθερα
-
RoHS υποχωρητικό
-
ΓΙΟΣ 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπείς
-
Διαχείριση μπαταριών
-
Διακόπτης φορτίων
-
Προστασία μπαταριών
3 περιγραφή
Αυτό – το 20-β, MOSFET δύναμης 7,7 mΩ NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις διοικητικές εφαρμογές φορτίων μετατροπής δύναμης με έναν ΓΙΟ 3,3 χιλ. × συσκευασία 3,3 χιλ. που προσφέρει μια άριστη θερμική απόδοση για το μέγεθος της συσκευής.
Περίληψη προϊόντων
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
– 20 |
Β |
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (– 4,5 Β) |
7.5 |
nC |
|
Qgd |
Πύλη δαπανών πυλών που στραγγίζει |
1.1 |
nC |
|
RDS (επάνω) |
Αγωγός--πηγή στην αντίσταση |
VGS = – 1,8 Β |
74 |
mΩ |
VGS = – 2,5 Β |
13.3 |
mΩ |
||
VGS = – 4,5 Β |
7.7 |
mΩ |
||
Vth |
Τάση κατώτατων ορίων |
– 0,9 |
Β |
Διαταγή των πληροφοριών (1)
ΣΥΣΚΕΥΗ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
CSD25402Q3A |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 3,3 χιλ. × πλαστική συσκευασία 3,3 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
CSD25402Q3AT |
250 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
– 20 |
Β |
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
+12 ή – 12 |
Β |
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών, TC = 25°C |
– 76 |
Α |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (όριο συσκευασίας) |
– 35 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
– 15 |
Α |
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (2) |
– 148 |
Α |
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
2.8 |
W |
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
69 |
||
TJ |
Λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων |
– 55 έως 150 |
°C |
Tstg |
Θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |