CSD18540Q5B Mosfet δύναμης RF κρυσταλλολυχνίες, Mosfet καναλιών Ν MOSFET NexFET Pwr κυκλωμάτων
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD18540Q5B Mosfet MOSFET 60V, N-channel MOSFET κρυσταλλολυχνιών δύναμης NexFET Pwr
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλός-θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Αμόλυβδη τελική επένδυση
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπή
-
Δευτεροβάθμιος δευτερεύων σύγχρονος διορθωτής
-
Απομονωμένος αρχικός δευτερεύων διακόπτης μετατροπέων
-
Έλεγχος μηχανών
3 περιγραφή
Αυτά τα 1,8 mΩ, MOSFET δύναμης 60-β NexFETTM έχουν ως σκοπό να ελαχιστοποιήσουν τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης με έναν ΓΙΟ 5 χιλ. × συσκευασία 6 χιλ.
Περίληψη προϊόντων
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
60 |
Β |
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (10 Β) |
41 |
nC |
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
6.7 |
nC |
|
RDS (επάνω) |
Αγωγός--πηγή στην αντίσταση |
VGS = 4,5 Β |
2.6 |
mΩ |
VGS =10V |
1.8 |
|||
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.9 |
Β |
Πληροφορίες συσκευών
ΣΥΣΚΕΥΗ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
CSD18540Q5B |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 5,00 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6,00 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
CSD18540Q5BT |
250 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
60 |
Β |
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
100 |
Α |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
205 |
||
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
29 |
||
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
400 |
Α |
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
3.8 |
W |
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
188 |
||
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σύνδεση, θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 175 |
°C |
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =80A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
320 |
MJ |