CSD18534Q5A Mosfet επιπέδων λογικής MOSFET 60V ν-CH NexFET Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD18534Q5A Mosfet MOSFET 60V ν-CH NexFET Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Επίπεδο λογικής
-
Ελεύθερη τελική επένδυση PB
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπή
-
Δευτεροβάθμιος δευτερεύων σύγχρονος διορθωτής
-
Απομονωμένος αρχικός δευτερεύων διακόπτης μετατροπέων
-
Έλεγχος μηχανών
3 περιγραφή
Αυτό το 7,8 mΩ, 60 Β, ΓΙΟΣ 5 MOSFET δύναμης × 6 χιλ. NexFETTM έχει ως σκοπό να ελαχιστοποιήσει τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Περίληψη προϊόντων
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
60 |
Β |
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (10 Β) |
17 |
nC |
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
3.5 |
nC |
|
RDS (επάνω) |
-αντίσταση αγωγός--πηγής |
VGS = 4,5 Β |
9.9 |
mΩ |
VGS =10V |
7.8 |
mΩ |
||
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.9 |
Β |
Διαταγή των πληροφοριών
ΣΥΣΚΕΥΗ |
QTY |
MEDIA |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΣΚΑΦΟΣ |
CSD18534Q5A |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
CSD18534Q5AT |
250 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
60 |
Β |
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
50 |
Α |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
69 |
||
Συνεχές ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (1) |
13 |
||
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
229 |
Α |
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
3.1 |
W |
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
77 |
||
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σύνδεση, θερμοκρασία αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =40A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
80 |
MJ |